[发明专利]光伏器件的薄吸收层

权利要求书

1.一种光伏(PV)器件，包括：

n型掺杂层；以及

p⁺型掺杂层，其邻近所述n型掺杂层以形成p-n层，使得当电磁辐射被所述p-n层吸收时产生电能。

2.如权利要求1所述的PV器件，其中所述n型掺杂层与所述p⁺型掺杂层构成吸收层，并且所述吸收层的厚度小于800nm。

3.如权利要求1所述的PV器件，其中所述p-n层包括异质结。

4.如权利要求1所述的PV器件，其中所述n型掺杂层或所述p⁺型掺杂层包括III-V族半导体。

5.如权利要求4所述的PV器件，其中所述III-V族半导体是单晶体。

6.如权利要求4所述的PV器件，其中所述n型掺杂层包含n型GaAs。

7.如权利要求4所述的PV器件，其中所述p⁺型掺杂层包含p⁺型AlGaAs。

8.如权利要求7所述的PV器件，其中所述p⁺型掺杂层包含p⁺型Al_0.3Ga_0.7As。

9.如权利要求1所述的PV器件，还包括插在所述n型掺杂层和所述p⁺型掺杂层之间的中间层。

10.如权利要求9所述的PV器件，其中所述n型掺杂层包含n型GaAs，所述p⁺型掺杂层包含p⁺型AlGaAs，以及所述中间层包含n型AlGaAs。

11.如权利要求9所述的PV器件，其中所述n型掺杂层包含n型GaAs，所述p⁺型掺杂层包含p⁺型AlGaAs，以及所述中间层包含n⁺型AlGaAs。

12.如权利要求9所述的PV器件，其中所述n型掺杂层包含n型GaAs，所述p⁺型掺杂层包含p⁺型AlGaAs，以及所述中间层包含p⁺型GaAs。

13.如权利要求1所述的PV器件，还包括邻近所述n型掺杂层的窗层。

14.如权利要求13所述的PV器件，其中所述窗层包含AlGaAs。

15.如权利要求14所述的PV器件，其中所述窗层包含Al_0.3Ga_0.7As。

16.如权利要求13所述的PV器件，其中所述窗层具有大约5到30nm的厚度。

17.如权利要求1所述的PV器件，还包括邻近所述p⁺型掺杂层的界面层。

18.如权利要求17所述的PV器件，其中所述界面层包含p⁺型GaAs。

19.如权利要求17所述的PV器件，其中所述界面层具有大约300nm的厚度。

20.如权利要求17所述的PV器件，其中所述界面层具有1×10¹⁹cm^-3的掺杂程度。

21.如权利要求1所述的PV器件，其中在所述n型掺杂层与所述p⁺型掺杂层之间形成的所述p-n层为偏移p-n层。

22.如权利要求1所述的PV器件，其中所述p⁺型掺杂层具有被精细调整的掺杂剖面，使得掺杂程度从所述p⁺型掺杂层的一侧到另一侧增加。

23.如权利要求1所述的PV器件，其中所述p⁺型掺杂层包括多个p⁺型掺杂层。

24.如权利要求23所述的PV器件，其中所述多个p⁺型掺杂层包含AlGaAs，并且所述多个p⁺型掺杂层的每个包含不同百分比的铝。