[发明专利]基于硫属化物的光伏器件及其制造方法无效
| 申请号: | 200980151493.6 | 申请日: | 2009-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN102257634A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
| 发明(设计)人: | 马里安娜·罗迪卡·穆特安祐;伊洛·戈特 | 申请(专利权)人: | AQT太阳能公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 肖善强 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 在一个示例实施方式中,方法包括,在基板上溅射一个或多个吸收层。在特定实施方式中,在所述溅射之前以及在溅射所述一个或多个吸收层的每一个期间,将所述基板预热至基板温度为至少约300摄氏度;并且所述吸收层中的至少一个的溅射在具有至少0.5帕斯卡压强的溅射气氛下进行。此外,在特定实施方式中,所述吸收层中的至少一个的溅射包括,由包括硫属化物合金的溅射靶进行的溅射,所述硫属化物合金包含铜(Cu)和硫(S)、硒(Se)或碲(Te)中的一种或多种。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 硫属化物 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏电池,其包括:转化层,所述转化层包括:一个或多个半导体吸收层,每一层具有第一掺杂类型,其中所述吸收层中的一个或多个包含至少一种硫属化物,并且其中所述硫属化物包含铜(Cu)并且包含硫(S)、硒(Se)或碲(Te)中的一种或多种;一个或多个半导体缓冲层,每一层具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型;其中所述缓冲层共同地被放置成与形成缓冲层和吸收层之间的界面的吸收层直接相邻,并且其中直接相邻所述界面的吸收层中的界面区域的Cu含量小于或等于约30原子百分比。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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