[发明专利]基于硫属化物的光伏器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光伏电池，其包括：

转化层，所述转化层包括：

一个或多个半导体吸收层，每一层具有第一掺杂类型，其中所述吸收层中的一个或多个包含至少一种硫属化物，并且其中所述硫属化物包含铜(Cu)并且包含硫(S)、硒(Se)或碲(Te)中的一种或多种；

一个或多个半导体缓冲层，每一层具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；

其中所述缓冲层共同地被放置成与形成缓冲层和吸收层之间的界面的吸收层直接相邻，并且其中直接相邻所述界面的吸收层中的界面区域的Cu含量小于或等于约30原子百分比。

2.如权利要求1的光伏电池，其中，所述第一掺杂类型是n-型掺杂，所述第二掺杂类型是p-型掺杂。

3.如权利要求1的光伏电池，中，所述第一掺杂类型是p-型掺杂，所述第二掺杂类型是n-型掺杂。

4.如权利要求1的光伏电池，还包括其上沉积有所述转化层的基板。

5.如权利要求4的光伏电池，还包括被放置在所述基板和所述转化层之间的第一导电层。

6.如权利要求5的光伏电池，还包括沉积在所述转化层之上的第二导电层。

7.如权利要求6的光伏电池，其中：

所述基板是透明玻璃基板；

所述第一导电层是透明导电层；且

所述第二导电层是透明导电层。

8.如权利要求1的光伏电池，其中，所述至少一种硫属化物还包含铟(In)，并且其中，所述吸收层中的Cu和In的组合含量大于或等于约22原子百分比，且小于或等于55原子百分比。

9.如权利要求8的光伏电池，其中，所述吸收层中的Cu、Ga和In的组合含量在所述吸收层上的变化小于约4原子百分比。

10.如权利要求8的光伏电池，其中，所述吸收层中的Cu的含量在所述吸收层上的变化为至少约4原子百分比。

11.如权利要求8的光伏电池，其中：

所述吸收层中的Cu的含量在所述吸收层上的变化为至少约4原子百分比；并且

所述吸收层中的Cu、Ga和In的组合含量在所述吸收层上的变化小于约4原子百分比。

12.如权利要求1的光伏电池，其中，所述吸收层中的S、Se和Te的组合含量大于或等于约44原子百分比，且小于或等于约56原子百分比。

13.如权利要求1的光伏电池，其中，所述至少一种硫属化物还包含镓(Ga)、锌(Zn)、铝(Al)和镉(Cd)中的一种或多种，并且其中所述吸收层的界面区域中的Ga、Zn、Al和Cd的组合含量大于或等于约5原子百分比。

14.如权利要求1的光伏电池，其中，所述缓冲层中的一个或多个包含至少一种硫属化物，并且其中，所述至少一种硫属化物包含硫(S)、硒(Se)、碲(Te)中的一种或多种。

15.如权利要求14的光伏电池，其中，所述至少一种硫属化物还包含铝(Al)、锌(Zn)、镓(Ga)、镉(Cd)、铟(In)或锡(Sn)中的一种或多种。

16.一种光伏电池，其包含：

玻璃基板；

被布置在所述玻璃基板上的第一透明导电层；

被布置在所述第一透明导电层上的转化层，所述转化层包括：

一个或多个半导体吸收层，每一层具有p-型掺杂，其中所述吸收层中的一个或多个包含至少一种硫属化物，并且其中所述至少一种硫属化物包含铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)、硫(S)和硒(Se)；

一个或多个半导体缓冲层，每一层具有n-型掺杂，其中所述缓冲层中的一个或多个包含至少一种硫属化物，并且其中所述至少一种硫属化物包含硫(S)、硒(Se)或碲(Te)中的一种或多种并且包含铝(Al)、锌(Zn)、镓(Ga)、镉(Cd)、铟(In)或锡(Sn)中的至少一种或多种；并且其中所述缓冲层共同地被放置成与形成缓冲层和吸收层之间的界面的吸收层直接相邻，并且其中直接相邻所述界面的吸收层中的界面区域的Cu含量小于或等于约25原子百分比；以及

被布置在所述转化层上的第二透明导电层。