[发明专利]雪崩光电二极管无效
| 申请号： | 200980150781.X | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102257641A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 莫昂·阿舒什 | 申请（专利权）人： | 阿尔卡特朗讯 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种包括p掺杂的吸收层(213)、非有意掺杂的雪崩倍增层(203)以及n掺杂的收集层(211)的单载流子雪崩光电二极管(200)，以及一种制造这种雪崩二极管的方法。吸收层是以一定的水平来掺杂的，该掺杂水平允许光电二极管按单载流子器件工作。因此，器件的总延迟时间主要取决于电子。收集层负责减小器件中的电容。可以在两层之间设置由n+δ掺杂的材料制成的内建场层(212)，以改善收集层中电子的注入。 | ||
| 搜索关键词： | 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
一种雪崩光电二极管，包括：p掺杂的吸收层、非有意掺杂的雪崩倍增层以及n掺杂的收集层，收集层能够收集从雪崩层注入的电子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
