[发明专利]雪崩光电二极管

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，包括：p掺杂的吸收层、非有意掺杂的雪崩倍增层以及n掺杂的收集层，收集层能够收集从雪崩层注入的电子。

2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，还包括：内建场层，由n+掺杂的材料制成，设置在雪崩倍增层与收集层之间。

3.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其中，p掺杂的吸收层是以约5×10¹⁷cm^-3掺杂的，或者包括在5×10¹⁷cm^-3与2×10¹⁸cm^-3之间变化的渐变p掺杂水平。

4.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的雪崩光电二极管，其中，p掺杂的吸收层是由InGaAs材料或GaAsSb材料制成的。

5.根据权利要求1至4中任一项权利要求所述的雪崩光电二极管，其中，收集层是由GaInAsP材料制成的。

6.根据权利要求2至5中任一项权利要求所述的雪崩光电二极管，其中，内建场层是由InAlAs材料制成的。

7.一种制造雪崩光电二极管的方法，包括以下步骤：

-产生p掺杂的吸收层；

-产生非有意掺杂的雪崩倍增层；以及

-产生n掺杂的收集层，收集层能够收集从雪崩层注入的电子。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括在雪崩倍增层与收集层之间产生由n+掺杂的材料制成的内建场层的步骤。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，产生p掺杂的吸收层的步骤包括以约5×10¹⁷cm^-3来掺杂所述吸收层，或者包括在5×10¹⁷cm^-3与2×10¹⁸cm^-3之间变化的渐变p掺杂水平。