[发明专利]具有横向溢流排出通道的图像传感器有效

专利信息
申请号: 200980149790.7 申请日: 2009-12-07
公开(公告)号: CN102246303A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 埃德蒙·肯尼思·邦哈特;埃里克·戈登·史蒂文斯;洪·库克·多恩 申请(专利权)人: 伊斯曼柯达公司
主分类号: H01L27/148 分类号: H01L27/148
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 杜诚;贾萌
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 使用双掩膜处理(1300、1500)制造横向溢流排出通道(610)和沟道截断(608)。每个横向溢流排出通道形成在各个沟道截断内。由于使用两个掩膜层,每个横向溢流排出通道的一个边缘与各个沟道截断的边缘对准。
搜索关键词: 具有 横向 溢流 排出 通道 图像传感器
【主权项】:
一种在图像传感器中制造一个或更多个横向溢流排出通道的方法,所述方法包括:在绝缘层上方形成第一掩膜层,其中所述绝缘层布置在具有第一导电类型的层上;将所述第一掩膜层形成图案以产生将形成沟道截断的一个或更多个第一开口;将一种或更多种第一导电类型的杂质经由所述一个或更多个第一开口掺入,并且到具有所述第一导电类型的所述层中,以在所述层中形成所述一个或更多个沟道截断;在所述第一掩膜层和所述一个或更多个第一开口上方形成第二掩膜层;将第二掩膜层形成图案以产生将形成所述一个或更多个横向溢流排出通道的一个或更多个第二开口,其中每个第二开口布置在相应第一开口的部分中,并且所述第二掩膜层的部分布置在每个第一开口的剩余部分中;以及将一种或更多种与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质经由所述一个或更多个第二开口掺入,并且到每个沟道截断中,以形成所述一个或更多个横向溢流排出通道。
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