[发明专利]具有横向溢流排出通道的图像传感器有效
| 申请号: | 200980149790.7 | 申请日: | 2009-12-07 |
| 公开(公告)号: | CN102246303A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
| 发明(设计)人: | 埃德蒙·肯尼思·邦哈特;埃里克·戈登·史蒂文斯;洪·库克·多恩 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;贾萌 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 横向 溢流 排出 通道 图像传感器 | ||
1.一种在图像传感器中制造一个或更多个横向溢流排出通道的方法,所述方法包括:
在绝缘层上方形成第一掩膜层,其中所述绝缘层布置在具有第一导电类型的层上;
将所述第一掩膜层形成图案以产生将形成沟道截断的一个或更多个第一开口;
将一种或更多种第一导电类型的杂质经由所述一个或更多个第一开口掺入,并且到具有所述第一导电类型的所述层中,以在所述层中形成所述一个或更多个沟道截断;
在所述第一掩膜层和所述一个或更多个第一开口上方形成第二掩膜层;
将第二掩膜层形成图案以产生将形成所述一个或更多个横向溢流排出通道的一个或更多个第二开口,其中每个第二开口布置在相应第一开口的部分中,并且所述第二掩膜层的部分布置在每个第一开口的剩余部分中;以及
将一种或更多种与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质经由所述一个或更多个第二开口掺入,并且到每个沟道截断中,以形成所述一个或更多个横向溢流排出通道。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括去除所述第一和第二掩膜层。
3.根据权利要求2所述的方法,还包括在每个沟道截断和关联的横向溢流排出通道上方形成场氧化物区域。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括当在所述第一掩膜层和一个或更多个第一开口上方形成第二掩膜层之前至少去除在所述一个或更多个第一开口中露出的所述绝缘层的部分。
5.一种图像传感器,包括:
在布置在层中的沟道截断内形成的横向溢流排出通道,其中所述横向溢流排出通道的一个边缘与所述沟道截断的边缘对准;以及
布置在所述沟道截断和横向溢流排出通道上方的场氧化物区域。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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