[发明专利]硅的制造方法有效
| 申请号： | 200980149707.6 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102245506A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 三枝邦夫;筱田健太郎;村上秀之 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社;独立行政法人物质.材料研究机构 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 庞立志;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 硅的制造方法，其具备在等离子体P中加热包含选自Mg、Ca和Al中的至少一种的金属粉末Mp1的加热工序、和用在等离子体P中加热过的金属粉末Mp2还原卤代硅烷G1而得到硅的还原工序。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
硅的制造方法，其具备：在等离子体中和/或等离子体射流中加热包含选自Mg、Ca和Al中的至少一种的金属粉末的加热工序，和用在所述等离子体中和/或等离子体射流中加热过的所述金属粉末还原卤代硅烷而得到硅的还原工序。
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