[发明专利]硅的制造方法有效
| 申请号： | 200980149707.6 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102245506A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 三枝邦夫;筱田健太郎;村上秀之 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社;独立行政法人物质.材料研究机构 |
| 主分类号： | C01B33/033 | 分类号： | C01B33/033 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 庞立志;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
1. 硅的制造方法，其具备：
在等离子体中和/或等离子体射流中加热包含选自Mg、Ca和Al中的至少一种的金属粉末的加热工序，和
用在所述等离子体中和/或等离子体射流中加热过的所述金属粉末还原卤代硅烷而得到硅的还原工序。
2. 权利要求1所述的硅的制造方法，其中，在所述加热工序中，在所述等离子体中和/或所述等离子体射流中加热所述等离子体的原料气体和/或所述等离子体射流的原料气体与所述金属粉末的混合物。
3. 权利要求1或2所述的硅的制造方法，其中，在所述加热工序中，将所述金属粉末供给至所述等离子体中和/或所述等离子体射流中，并在所述等离子体中和/或所述等离子体射流中加热所述金属粉末，
在所述还原工序中，使在所述等离子体中和/或所述等离子体射流中加热过的所述金属粉末与所述卤代硅烷接触，而还原所述卤代硅烷，得到所述硅。
4. 权利要求1~3中任一项所述的硅的制造方法，其中，在所述加热工序中，在所述等离子体中和/或所述等离子体射流中加热所述金属粉末，而将所述金属粉末液化。
5. 权利要求1~4中任一项所述的硅的制造方法，其中，在所述加热工序中，将所述卤代硅烷供给至所述等离子体中和/或所述等离子体射流中。
6. 权利要求1~5中任一项所述的硅的制造方法，其中，所述等离子体的原料气体和/或所述等离子体射流的原料气体为选自H2、He和Ar中的至少一种。
7. 权利要求1~6中任一项所述的硅的制造方法，其中，所述金属粉末包含Al。
8. 权利要求1~7中任一项所述的硅的制造方法，其中，所述卤代硅烷为四氯硅烷。
9. 权利要求1~8中任一项所述的硅的制造方法，其中，所述等离子体为热等离子体，所述等离子体射流为热等离子体射流。
10. 权利要求9所述的硅的制造方法，其中，所述热等离子体为直流电弧等离子体，所述热等离子体射流为直流电弧等离子体射流。
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