[发明专利]清洁硅电极的沉浸式氧化和蚀刻方法

摘要

提供了一种清洁硅电极的方法，其中所述硅电极浸泡在搅动的含水清洁剂溶液中，去除所述含水清洁剂溶液后用水冲洗。所述经冲洗的硅电极浸泡在搅动异丙醇(IPA)溶液中，然后冲洗。所述硅电极在去除所述IPA溶液后在水中经受超声清洁操作。然后通过将所述硅电极浸泡在搅动的混酸溶液中去除所述硅电极的污染物，所述混酸溶液包括氢氟酸、硝酸、醋酸以及水。所述硅电极在去除所述混酸溶液后在水中经受附加超声清洁操作，随后冲洗并干燥。在本披露的其他实施方式中，也考虑所述硅电极可浸泡在所述搅动的含水清洁剂溶液中、所述搅动的异丙醇溶液中或二者中。考虑、披露以及要求保护其他的实施方式。

主权项

一种清洁硅电极的方法，所述方法包括：将所述硅电极浸泡在搅动的含水清洁剂溶液中；所述硅电极在去除所述水性清洁剂溶液后用水冲洗；将经冲洗的所述硅电极浸泡在搅动异丙醇(IPA)溶液中；所述硅电极在去除所述IPA溶液后用水冲洗；所述硅电极在去除所述IPA溶液后在水中经受超声清洁操作；通过将所述硅电极浸泡在搅动的混酸溶液中以及用水冲洗酸浸硅电极来去除所述硅电极的污染物，所述混酸溶液包括氢氟酸、硝酸、醋酸和水；所述硅电极在去除所述混酸溶液后在水中经受附加超声清洁操作；以及所述附加超声清洁操作后冲洗并干燥所述硅电极。