[发明专利]清洁硅电极的沉浸式氧化和蚀刻方法

权利要求书

1.一种清洁硅电极的方法，所述方法包括：

将所述硅电极浸泡在搅动的含水清洁剂溶液中；

所述硅电极在去除所述水性清洁剂溶液后用水冲洗；

将经冲洗的所述硅电极浸泡在搅动异丙醇(IPA)溶液中；

所述硅电极在去除所述IPA溶液后用水冲洗；

所述硅电极在去除所述IPA溶液后在水中经受超声清洁操作；

通过将所述硅电极浸泡在搅动的混酸溶液中以及用水冲洗酸浸硅电极来去除所述硅电极的污染物，所述混酸溶液包括氢氟酸、硝酸、醋酸和水；

所述硅电极在去除所述混酸溶液后在水中经受附加超声清洁操作；以及

所述附加超声清洁操作后冲洗并干燥所述硅电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述混酸溶液包括：

体积比近似1的浓度近似49％的氢氟酸溶液；

体积比近似7.5的浓度近似69％的硝酸溶液；

体积比近似3.7的浓度近似100％的醋酸溶液；以及

体积比近似87.8的水。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述混酸溶液包括：

相当于体积比低于近似10而浓度近似40％-60％的氢氟酸溶液的一定体积比的氢氟酸；

相当于体积比低于近似20的浓度近似60％-80％的硝酸溶液的一定体积比的硝酸；

相当于体积比低于近似10的浓度近似90％-100％的醋酸溶液的一定体积比的醋酸；以及

体积比高于近似75的水。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述混酸溶液包括：

按重量近似0.5％的氢氟酸；

按重量近似5.3％的硝酸；

按重量近似3.8％的醋酸；以及

水。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述混酸溶液包括：

按重量近似0.45％至近似0.55％的氢氟酸；

按重量近似4.8％至近似5.8％的硝酸；

按重量近似3.3％至近似4.3％的醋酸；以及

水。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述混酸溶液包括：

按重量近似0.4％至近似0.6％的氢氟酸；

按重量近似4.3％至近似6.3％的硝酸；

按重量近似2.8％至近似4.8％的醋酸；以及

水。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述搅动的混酸浸泡之前进行电极夹具操作以及在所述硅电极两个主面上用40-50psiN₂进行水枪冲洗。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述搅动的含水清洁剂浸泡之前进行CO₂颗粒清洁。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在具有水周转的水池中进行所述超声清洁操作，然后用N₂进行水枪冲洗。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述超声清洁操作中使用的去离子水的超声波输出功率密度在近似40kHz时在近似1.5Watts/cm²(10Watts/in²)和近似3.0Watts/cm²(20Watts/in²)之间。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述附加超声清洁操作表征为至少近似1.5的水周转率和至少近似2MΩ的水电阻率。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述附加超声清洁操作后进行吹干操作、烘干操作以及包裹操作。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述烘干操作在近似120℃持续近似2小时。

14.根据权利要求1所述的方法，其中在所述附加超声清洁操作后的冲洗是通过水枪冲洗在所述硅电极两个主面上用40-50psiN₂进行的。

15.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述方法，溶液搅动是持续的、非持续的、周期的或非周期的。

16.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述方法，通过聚四氟乙烯、聚四氟乙烯涂覆或聚四氟乙烯包覆棒支撑沉浸式硅电极进行浸泡操作。