[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号： | 200980148845.2 | 申请日： | 2009-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102239576A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 金昌台;南起燃 | 申请（专利权）人： | 艾比维利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;孙海龙 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光器件，更具体地，涉及这样的半导体发光器件，其包括：多个半导体层，其包括具有第一传导性的第一半导体层、具有与第一传导性不同的第二传导性的第二半导体层、以及插入在第一半导体层和第二半导体层之间、并且通过电子和空穴的复合来发光的发光层；焊盘，其电连接到多个半导体层；第一电极，其在多个半导体层上延伸；以及第二电极，其从焊盘向第一电极延伸并使焊盘和第一电极相互电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：多个半导体层，所述多个半导体层包括具有第一传导性的第一半导体层、具有与所述第一传导性不同的第二传导性的第二半导体层、以及插入在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间、并且通过电子和空穴的复合来发光的发光层；焊盘，所述焊盘电连接到所述多个半导体层；第一电极，所述第一电极在所述多个半导体层上延伸；以及第二电极，所述第二电极从所述焊盘向所述第一电极延伸并将所述焊盘电连接到所述第一电极。
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