[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号: | 200980148845.2 | 申请日: | 2009-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN102239576A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
| 发明(设计)人: | 金昌台;南起燃 | 申请(专利权)人: | 艾比维利股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;孙海龙 |
| 地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件,所述半导体发光器件包括:
多个半导体层,所述多个半导体层包括具有第一传导性的第一半导体层、具有与所述第一传导性不同的第二传导性的第二半导体层、以及插入在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间、并且通过电子和空穴的复合来发光的发光层;
焊盘,所述焊盘电连接到所述多个半导体层;
第一电极,所述第一电极在所述多个半导体层上延伸;以及
第二电极,所述第二电极从所述焊盘向所述第一电极延伸并将所述焊盘电连接到所述第一电极。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中,所述第一电极与所述焊盘分离。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件,所述半导体发光器件包括第三电极,所述第三电极形成在通过刻蚀至少所述第二半导体层和所述发光层而露出的所述第一半导体层上。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中,所述焊盘形成在所述第二半导体层上,所述第一电极形成在所述第二半导体层上并与所述焊盘相分离;并且
其中,所述半导体发光器件包括:
第三电极,所述第三电极形成在在通过刻蚀至少所述第二半导体层和所述发光层而露出的所述第一半导体层上;以及
第四电极,所述第四电极从所述第三电极延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中,所述发光器件是III族氮化物半导体发光器件。
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