[发明专利]等离子体处理装置、磁电阻元件的制造装置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序

摘要

提供一种等离子体处理装置、磁电阻元件的制造装置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序，针对大口径基板，改进磁性薄膜的易磁化轴的偏差。等离子体处理装置(1)具备：基板保持件(11)，其支承基板(10)；磁体保持件(31)，其在基板保持件周围支承磁体(30)；阴极部件(50)，其在基板上方施加放电电压；旋转机构(20、40)，其沿着基板处理面的面方向能够使基板保持件和磁体保持件中的至少一个或者两者旋转；旋转位置检测单元(25、45)，其检测基板和磁体的旋转位置；以及控制装置(60)，其控制各操作要素的动作，其中，控制装置根据旋转位置检测单元的检测信号对基板保持件或者/以及磁体保持件的旋转机构进行控制以使在磁性薄膜的溅射成膜中使基板处理面的易磁化轴与由磁体施加的磁场之间的相对角度摆动变化。

主权项

一种等离子体处理装置，将处理气体导入到可抽成真空的腔室内部，对阴极施加放电电压而使阴极与基板保持件之间产生等离子体放电，对安装于上述阴极的靶进行溅射来在基板的处理面形成含有磁性薄膜的薄膜，该等离子体处理装置的特征在于，具备：基板保持件，其支承上述基板；磁体保持件，其被配置在上述基板保持件的周围，支承磁体，该磁体在上述基板的处理面形成磁场；阴极部件，其被配置在上述基板保持件的上方，被施加放电电压；旋转机构，其能够使上述基板保持件和上述磁体保持件中的至少一个或者两者沿着上述基板的处理面的面方向旋转；旋转位置检测单元，其检测上述基板保持件或者/以及上述磁体保持件的旋转位置；以及控制装置，其控制随着成膜处理而产生的各操作要素的动作，其中，上述控制装置根据上述旋转位置检测单元的检测信号对上述基板保持件或者/以及上述磁体保持件的上述旋转机构进行控制，以使在上述磁性薄膜的溅射成膜中使设定于上述基板的处理面的易磁化轴与由上述磁体施加的磁场之间的相对角度摆动变化。