[发明专利]等离子体处理装置、磁电阻元件的制造装置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，将处理气体导入到可抽成真空的腔室内部，对阴极施加放电电压而使阴极与基板保持件之间产生等离子体放电，对安装于上述阴极的靶进行溅射来在基板的处理面形成含有磁性薄膜的薄膜，该等离子体处理装置的特征在于，具备：

基板保持件，其支承上述基板；

磁体保持件，其被配置在上述基板保持件的周围，支承磁体，该磁体在上述基板的处理面形成磁场；

阴极部件，其被配置在上述基板保持件的上方，被施加放电电压；

旋转机构，其能够使上述基板保持件和上述磁体保持件中的至少一个或者两者沿着上述基板的处理面的面方向旋转；

旋转位置检测单元，其检测上述基板保持件或者/以及上述磁体保持件的旋转位置；以及

控制装置，其控制随着成膜处理而产生的各操作要素的动作，

其中，上述控制装置根据上述旋转位置检测单元的检测信号对上述基板保持件或者/以及上述磁体保持件的上述旋转机构进行控制，以使在上述磁性薄膜的溅射成膜中使设定于上述基板的处理面的易磁化轴与由上述磁体施加的磁场之间的相对角度摆动变化。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

上述控制装置控制上述相对角度在最大相对角度为±5度的范围内摆动变化。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

上述控制装置以如下方式控制上述相对角度：在上述磁性薄膜的成膜初期使上述相对角度在最大相对角度为±5度的范围内摆动变化，且随着成膜的进行使上述相对角度的偏转逐渐收敛。

4.一种薄膜器件的制造装置，其特征在于，具备：

权利要求1～3中的任一项所述的等离子体处理装置；

蚀刻腔室，其去除基板的处理面的杂质；

氧化处理腔室，其对金属薄膜进行氧化处理；以及

加载互锁腔室，其在真空空间与大气之间取出和放入上述基板，

其中，上述等离子体处理装置、上述蚀刻腔室、上述氧化处理腔室、以及上述加载互锁腔室通过具备真空输送机构的真空输送腔室进行连接。

5.一种磁性薄膜的成膜方法，将处理气体导入到可抽成真空的腔室内部，在基板周围配置磁体，该磁体在该基板的处理面上形成磁场，对阴极施加放电电压而使阴极与基板保持件之间产生等离子体放电，对安装于上述阴极的靶进行溅射来在基板处理面形成磁性薄膜，该磁性薄膜的成膜方法的特征在于，

在上述磁性薄膜的溅射成膜中使设定于上述基板处理面的易磁化轴与由上述磁体施加的磁场之间的相对角度摆动变化。

6.根据权利要求5所述的磁性薄膜的成膜方法，其特征在于，

使上述相对角度在最大相对角度为±5度的范围内摆动变化。

7.根据权利要求5所述的磁性薄膜的成膜方法，其特征在于，

以如下方式控制上述相对角度：在上述磁性薄膜的成膜初期使上述相对角度在最大相对角度为±5度的范围内摆动变化，且随着成膜的进行使上述相对角度的偏转逐渐收敛。

8.一种成膜控制程序，其特征在于，使控制装置执行以下步骤，该控制装置根据对支承基板的基板保持件或者/以及支承磁体的磁体保持件的旋转位置进行检测的旋转位置检测单元的检测信号对上述基板保持件或者/以及上述磁体保持件的旋转机构的旋转进行控制，其中，上述步骤为：

对上述基板以及上述磁体进行定位，使得在与上述基板的标记垂直的方向上形成磁场；

在上述磁性薄膜的溅射成膜中使设定于上述基板的处理面的易磁化轴与由上述磁体施加的磁场之间的相对角度在最大±5度的范围内摆动变化；

以随着成膜的进行而相对角度的偏转逐渐收敛的方式使上述相对角度摆动变化；以及

在上述定位的状态下使上述基板静止并进行溅射成膜。

9.一种存储介质，能够由计算机读取，其特征在于，记录了权利要求8所述的成膜控制程序。