[发明专利]生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法无效
| 申请号： | 200980148584.4 | 申请日： | 2009-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN102239283A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 竹山知阳 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/04;C23C16/34;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个方面中的生长GaN晶体的方法中，实施下列步骤。准备底部衬底(步骤S1)。然后，在所述底部衬底上形成具有开口部分并由SiO2构成的掩模层(步骤S2)。然后，在底部衬底和掩模层上生长GaN晶体(步骤S5)。所述掩模层具有不大于2nm的表面粗糙度Rms或不小于8m的曲率半径。在一个方面中的生长GaN晶体的方法中，实施下列步骤。准备底部衬底(步骤S 1)。然后，使用抗蚀剂，在所述底部衬底上形成具有开口部分的掩模层(步骤S2)。然后，利用酸溶液对所述底部衬底和所述掩模层进行清洁(步骤S3)。然后，在利用酸溶液进行清洁的步骤S3之后，利用有机溶剂对所述底部衬底和所述掩模层进行清洁(步骤S4)。然后，在所述底部衬底和所述掩模层上生长GaN晶体(步骤S5)。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 氮化 晶体 方法 制造 | ||
【主权项】：
一种生长氮化镓晶体(17)的方法，所述方法包括：准备底部衬底(11)的步骤；在所述底部衬底(11)上形成具有开口部分(13a)并由二氧化硅构成的掩模层(13)的步骤；以及在所述底部衬底(11)和所述掩模层(13)上生长氮化镓晶体(17)的步骤，以及所述掩模层(13)的表面粗糙度Rms不大于2nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980148584.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：语音识别多信息文本获取装置及方法
- 下一篇：让压型异型梁锚索桁架巷道支护系统
