[发明专利]生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法

权利要求书

1.一种生长氮化镓晶体(17)的方法，所述方法包括：

准备底部衬底(11)的步骤；

在所述底部衬底(11)上形成具有开口部分(13a)并由二氧化硅构成的掩模层(13)的步骤；以及

在所述底部衬底(11)和所述掩模层(13)上生长氮化镓晶体(17)的步骤，以及

所述掩模层(13)的表面粗糙度Rms不大于2nm。

2.如权利要求1所述的生长氮化镓晶体(17)的方法，其中所述掩模层(13)的表面粗糙度Rms不大于0.5nm。

3.如权利要求1所述的生长氮化镓晶体(17)的方法，其中所述掩模层(13)的曲率半径不小于8m。

4.如权利要求3所述的生长氮化镓晶体(17)的方法，其中所述掩模层(13)的曲率半径不小于50m。

5.如权利要求1所述的生长氮化镓晶体(17)的方法，在所述形成掩模层(13)的步骤与所述生长氮化镓晶体(17)的步骤之间还包括：

在所述底部衬底(11)上形成由氮化镓构成的缓冲层(19)的步骤；以及

在不低于800℃且不高于1100℃的温度下对所述缓冲层(19)进行热处理的步骤。

6.如权利要求5所述的生长氮化镓晶体(17)的方法，在所述形成掩模层(13)的步骤与所述形成缓冲层(19)的步骤之间还包括：

利用酸溶液对所述底部衬底(11)和所述掩模层(13)进行清洁的步骤；以及

在所述利用酸溶液进行清洁的步骤之后，利用有机溶剂对所述底部衬底(11)和所述掩模层(13)进行清洁的步骤。

7.如权利要求1所述的生长氮化镓晶体(17)的方法，在所述形成掩模层(13)的步骤与所述生长氮化镓晶体(17)的步骤之间还包括：

利用酸溶液对所述底部衬底(11)和所述掩模层(13)进行清洁的步骤；以及

在所述利用酸溶液进行清洁的步骤之后，利用有机溶剂对所述底部衬底(11)和所述掩模层(13)进行清洁的步骤。

8.如权利要求7所述的生长氮化镓晶体(17)的方法，其中在所述利用酸溶液进行清洁的步骤与所述利用有机溶剂进行清洁的步骤中，对所述酸溶液和所述有机溶剂施加超声波。

9.一种制造氮化镓晶体(10)的方法，所述方法包括：

利用权利要求1的生长氮化镓晶体(17)的方法生长氮化镓晶体(17)的步骤；以及

移去所述底部衬底(11)和所述掩模层(13)的步骤。

10.一种生长氮化镓晶体(17)的方法，所述方法包括：

准备底部衬底(11)的步骤；

在所述底部衬底(11)上形成具有开口部分(13a)并由二氧化硅构成的掩模层(13)的步骤；以及

在所述底部衬底(11)和所述掩模层(13)上生长氮化镓晶体(17)的步骤，以及

所述掩模层(13)的曲率半径不小于8m。

11.如权利要求10所述的生长氮化镓晶体(17)的方法，其中所述掩模层(13)的曲率半径不小于50m。

12.如权利要求10所述的生长氮化镓晶体(17)的方法，在所述形成掩模层(13)的步骤与所述生长氮化镓晶体(17)的步骤之间还包括：

在所述底部衬底(11)上形成由氮化镓构成的缓冲层(19)的步骤；以及

在不低于800℃且不高于1100℃的温度下对所述缓冲层(19)进行热处理的步骤。

13.如权利要求12所述的生长氮化镓晶体(17)的方法，在所述形成掩模层(13)的步骤与所述对缓冲层(19)进行热处理的步骤之间还包括：

利用酸溶液对所述底部衬底(11)和所述掩模层(13)进行清洁的步骤；以及

在所述利用酸溶液进行清洁的步骤之后，利用有机溶剂对所述底部衬底(11)和所述掩模层(13)进行清洁的步骤。