[发明专利]形成二极管的方法有效
| 申请号： | 200980147226.1 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102224595A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡;巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一些实施例包含形成二极管的方法。可在第一导电材料上方形成堆叠。所述堆叠可以升序次序包含牺牲材料、至少一种电介质材料及第二导电材料。可沿所述堆叠的相对侧壁形成间隔件，且接着可移除所述牺牲材料的整体以在所述第一导电材料与所述至少一种电介质材料之间留下间隙。在形成二极管的一些实施例中，可在第一导电材料上方形成层，其中所述层含有散布于牺牲材料中的支撑件。可在所述层上方形成至少一种电介质材料，且可在所述至少一种电介质材料上方形成第二导电材料。可接着移除所述牺牲材料的整体。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 二极管 方法 | ||
【主权项】：
一种形成二极管的方法，其包括：在第一导电材料上方形成堆叠；所述堆叠以从所述第一导电材料起的升序次序包含牺牲材料、至少一种电介质材料及第二导电材料；所述堆叠具有一对相对侧壁；沿所述相对侧壁形成间隔件；在形成所述间隔件之后，移除所述牺牲材料的整体以在所述第一导电材料与所述至少一种电介质材料之间留下间隙；且其中所述第一导电材料、第二导电材料、至少一种电介质材料及间隙一起构成二极管。
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