[发明专利]形成二极管的方法

权利要求书

1.一种形成二极管的方法，其包括：

在第一导电材料上方形成堆叠；所述堆叠以从所述第一导电材料起的升序次序包含牺牲材料、至少一种电介质材料及第二导电材料；所述堆叠具有一对相对侧壁；

沿所述相对侧壁形成间隔件；

在形成所述间隔件之后，移除所述牺牲材料的整体以在所述第一导电材料与所述至少一种电介质材料之间留下间隙；且

其中所述第一导电材料、第二导电材料、至少一种电介质材料及间隙一起构成二极管。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包括碳，且其中移除牺牲层包括利用O₂等离子体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包括二氧化硅，且其中所述移除所述牺牲层包括利用氢氟酸。

4.根据权利要求1所述的方法，其中利用原子层沉积形成所述牺牲材料，且将其形成为小于或等于约10埃的厚度。

5.一种形成多个二极管的方法，其包括：

在第一导电材料上方形成多个间隔开的特征；个别特征以从所述第一导电材料起的升序次序包含牺牲材料、至少一种电介质材料及第二导电材料；所述特征中的每一者具有包含分别包括所述牺牲材料、至少一种电介质材料及第二导电材料的段的侧壁；

沿所述特征的所述侧壁形成间隔件；

在形成所述间隔件之后，从所述特征移除所述牺牲材料的整体；且

其中已从中移除所述牺牲材料的所述特征连同所述第一导电材料一起构成多个二极管。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述形成所述特征包括：

在所述第一导电材料上方形成嵌段共聚物层；

诱发所述嵌段共聚物的自组装以形成所述牺牲材料的与介入区域交替的区域，所述介入区域在所述牺牲材料的所述区域之间；

移除所述介入区域以使所述牺牲材料的所述区域保留在所述第一导电材料上方；

在所述牺牲材料的所述区域上方形成所述至少一种电介质材料及所述第二导电材料；及

将所述至少一种电介质材料及所述第二导电材料图案化为仅在所述牺牲材料的所述区域上方。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述在所述牺牲材料的所述区域上方形成所述至少一种电介质材料及所述第二导电材料发生在所述移除所述介入区域之前，且其中所述图案化所述至少一种电介质材料及所述第二导电材料包含从所述介入区域上方移除所述至少一种电介质材料及所述第二导电材料。

8.一种形成多个二极管的方法，其包括：

在第一导电材料上方形成牺牲材料；

在所述牺牲材料上方形成至少一种电介质材料；

在所述至少一种电介质材料上方形成第二导电材料；所述牺牲材料、至少一种电介质材料及第二导电材料一起形成堆叠；

将所述堆叠图案化为多个间隔开的特征，所述特征中的每一者具有包含分别包括所述牺牲材料、至少一种电介质材料及第二导电材料的段的侧壁；

沿所述特征的所述侧壁形成间隔件；

在形成所述间隔件之后，从所述特征移除所述牺牲材料的整体；且

其中已从中移除所述牺牲材料的所述特征连同所述第一导电材料一起构成多个二极管。

9.一种形成多个二极管的方法，其包括：

在第一导电材料上方形成层；

以化学方式修饰所述层的至少一部分；在所述修饰之后，所述层包括散布于牺牲材料中的支撑件；

跨越所述层形成上覆材料，所述上覆材料包含至少一种电介质材料及在所述至少一种电介质材料上方的第二导电材料；

将所述层及上覆材料图案化为多个间隔开的特征；

移除所述牺牲材料的整体，同时留下所述支撑件以至少部分地支撑所述上覆材料；且

其中已从中移除所述牺牲材料的所述特征连同所述第一导电材料一起构成多个二极管。

10.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述层包括分散于所述牺牲材料中的粒子；

所述粒子包括第一组合物；且

其中所述化学修饰包括使所述粒子的至少表面与所述牺牲材料反应以将所述表面转化成不同于所述第一组合物的第二组合物。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第二组合物为电绝缘的。