[发明专利]非易失性半导体存储装置及其驱动方法

摘要

提供一边能够以位单位进行改写，一边可实现存储器单元的寿命的延长的非易失性半导体存储装置。在命令信息表示写入的情况下，比较部（37）对在对象存储器单元中写入的已写入数据和写入对象数据进行比较，将比较结果赋予到写入/读出控制部（40），在比较结果相同的情况下，所述写入/读出控制部（40）对译码器部（51A、51B、53）不赋予写入指示，在所述比较结果相异的情况下，所述写入/读出控制部（40）对所述译码器部赋予对对象存储器单元将写入对象数据写入的写入指示。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：存储器单元阵列，其构成为具备第1子库和第2子库，该第1子库构成为将多个非易失性的存储器单元排列为矩阵状，将同一行的所述存储器单元的第1端子连接于共同的字线，将同一列的所述存储器单元的第2端子连接于共同的位线，该第2子库是与所述第1子库相同的结构；写入/读出控制部，进行向与指定地址对应的对象存储器单元的写入或读出的控制；译码器部，通过基于来自所述写入/读出控制部的指示对所述位线以及所述字线施加电压，从而对所述对象存储器单元施加写入电压或读出电压；读出电路，进行在施加了所述读出电压的所述对象存储器单元中写入的已写入数据的读出；以及比较部，进行输入的多个数据的比较，在对位于所述第1子库内和所述第2子库内的多个所述对象存储器单元进行各个个别地指定的写入对象数据的写入时，所述译码器部在同一时间带执行第1工作和第2工作，所述第1工作对所述第1子库内的第1对象存储器单元施加读出电压，所述第2工作仅在所述第2子库内的第2对象存储器单元的所述已写入数据和向该第2对象存储器单元的所述写入对象数据的根据所述比较部的比较结果相异的情况下，对所述第2对象存储器单元施加写入电压。