[发明专利]可变更顶部轮廓的整合顺序有效
申请号: | 200980147107.6 | 申请日: | 2009-11-19 |
公开(公告)号: | CN102224585A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 高建德;吕新亮;葛振宾;张梅;霍伊曼·雷蒙德·洪;妮琴·英吉 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/76 | 分类号: | H01L21/76;H01L21/306 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施例一般关于用于处理半导体基板的设备及方法。特别而言,本发明的实施例关于用于形成浅沟槽隔离的设备及方法,该浅沟槽隔离具有含磨圆底部的凹部。本发明的一实施例包含:通过从填充的沟槽结构移除一部分材料以及通过磨圆凹部的底部转角而形成填充的沟槽结构中的凹部。磨圆底部转角是通过在基板上沉积与填充于沟槽结构内相同的材料的共形层以及通过从凹部侧壁移除该材料的共形层而执行的。 | ||
搜索关键词: | 变更 顶部 轮廓 整合 顺序 | ||
【主权项】:
一种用于处理基板的方法,包含以下步骤:在该基板中形成沟槽结构,其中该沟槽结构的侧壁包含第一材料;沉积第二材料以填充该沟槽结构;平面化该基板以移除沉积在该沟槽结构外的该第一材料;通过从该填充的沟槽结构移除一部分的该第二材料,在该填充的沟槽结构中形成凹部;以及调整该凹部的轮廓,其包含以下步骤:在该基板之上沉积该第二材料的共形层;以及移除该第二材料的该共形层以暴露于该沟槽结构外的该第一材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料股份有限公司,未经应用材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980147107.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造