[发明专利]可变更顶部轮廓的整合顺序

权利要求书

1.一种用于处理基板的方法，包含以下步骤：

在该基板中形成沟槽结构，其中该沟槽结构的侧壁包含第一材料；

沉积第二材料以填充该沟槽结构；

平面化该基板以移除沉积在该沟槽结构外的该第一材料；

通过从该填充的沟槽结构移除一部分的该第二材料，在该填充的沟槽结构中形成凹部；以及

调整该凹部的轮廓，其包含以下步骤：

在该基板之上沉积该第二材料的共形层；以及

移除该第二材料的该共形层以暴露于该沟槽结构外的该第一材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中调整该凹部的轮廓包含以下步骤：

磨圆该凹部的底部转角。

3.如权利要求2所述的方法，其中移除该第二材料的该共形层包含以下步骤：

使用蚀刻剂蚀刻该基板，该蚀刻剂对该第二材料比对该第一材料具有更高的蚀刻速率。

4.如权利要求3所述的方法，其中在该填充的沟槽结构中形成该凹部包含以下步骤：

使用该蚀刻剂蚀刻该基板。

5.如权利要求4所述的方法，其中该第二材料包含氧化硅，且沉积该第二材料以填充该沟槽结构以及沉积该第二材料的该共形层是使用相同化学反应执行。

6.如权利要求5所述的方法，其中该蚀刻剂包含氨(NH₃)及三氟化氮(NF₃)的气体混合物，而移除该第二材料的该共形层包含以下步骤：生成氨及三氟化氮的该气体混合物的等离子体。

7.一种用于形成浅沟槽隔离结构的方法，包含以下步骤：

形成穿透多晶硅层的沟槽结构；

以氧化硅填充该沟槽结构；

平面化该基板以使该多晶硅层暴露于该基板的表面上；

往回蚀刻该氧化硅至进入该沟槽结构以于该沟槽结构中形成凹部；以及

磨圆该凹部的底部转角，其包含以下步骤：

在该基板的表面以及该凹部的侧壁与底部上沉积氧化硅的共形层；以及

移除该氧化硅的共形层以暴露该多晶硅层于该基板的表面上。

8.如权利要求7所述的方法，其中移除该氧化硅的共形层是使用蚀刻剂执行，该蚀刻剂对氧化硅比对多晶硅具更高的蚀刻速率。

9.如权利要求8所述的方法，其中执行往回蚀刻氧化硅时和执行移除该氧化硅的共形层时是使用相同的蚀刻剂。

10.如权利要求9所述的方法，其中该蚀刻剂包含氨(NH₃)及三氟化氮(NF₃)的气体混合物，而移除该氧化硅的共形层包含以下步骤：生成氨及三氟化氮的该气体混合物的等离子体。

11.如权利要求7所述的方法，其中形成该沟槽结构包含以下步骤：

形成该沟槽结构使之穿过该多晶硅层并进入该多晶硅层之下的硅层，且该凹部形成于该多晶硅层的厚度之内。

12.一种用于形成存储单元的方法，其包含以下步骤：

提供硅基板，其设置以于其中形成该存储单元的有源区域；

沉积第一多晶硅层，其设置以形成该存储单元的浮栅；

形成穿过该第一多晶硅层进入该硅基板的沟槽结构；

以氧化硅填充该沟槽结构；

平面化该基板以暴露该第一多晶硅层；

在该沟槽结构中形成含磨圆底部的凹部；以及

沉积第二多晶硅层，其设置以形成用于该存储单元的控制栅极，

其中，形成含磨圆底部的凹部的步骤包含以下步骤：

往回蚀刻该沟槽结构中一部分的该氧化硅；

沉积氧化硅的共形层于该基板的表面之上；以及

移除该氧化硅的共形层以曝露该第一多晶硅层。

13.如权利要求12所述的方法，其中往回蚀刻该沟槽结构中一部分的该氧化硅包含以下步骤：

施加蚀刻剂，该蚀刻剂对氧化硅比对多晶硅以及对该第一绝缘层具有更高的蚀刻速率。

14.如权利要求13所述的方法，其中执行移除该氧化硅的共形层时和执行往回蚀刻该沟槽结构中一部分的该氧化硅时是使用相同的蚀刻剂。

15.如权利要求14所述的方法，其中该蚀刻剂包含从氨(NH₃)及三氟化氮(NF₃)的气体混合物生成的等离子体。