[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200980145404.7 | 申请日： | 2009-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102210025A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 秋元健吾;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/06;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;朱海煜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 目的是防止例如湿气和氧等杂质混合进入氧化物半导体并且抑制其中使用氧化物半导体的半导体器件的半导体特性中的变化。另一个目的是提供具有高可靠性的半导体器件。提供在具有绝缘表面的衬底之上的栅极绝缘膜、提供在该栅极绝缘膜之上的源电极和漏电极、提供在该源电极和漏电极之上的第一氧化物半导体层，以及提供在该源电极与漏电极和该第一氧化物半导体层之间的源区和漏区被提供。阻挡膜提供为与该第一氧化物半导体层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：在具有绝缘表面的衬底之上的栅电极层；在所述栅电极层之上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜之上的源电极和漏电极；在所述源电极和所述漏电极之上的第一氧化物半导体层；在所述源电极和所述第一氧化物半导体层之间的源区，以及在所述漏电极和所述第一氧化物半导体层之间的漏区；以及与所述第一氧化物半导体层接触的阻挡膜。
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