[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

在具有绝缘表面的衬底之上的栅电极层；

在所述栅电极层之上的栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜之上的源电极和漏电极；

在所述源电极和所述漏电极之上的第一氧化物半导体层；

在所述源电极和所述第一氧化物半导体层之间的源区，以及在所述漏电极和所述第一氧化物半导体层之间的漏区；以及

与所述第一氧化物半导体层接触的阻挡膜。

2.一种半导体器件，其包括：

在具有绝缘表面的衬底之上的栅电极层；

在所述栅电极层之上的栅极绝缘膜；

在所述栅电极层之上的第一氧化物半导体层且所述栅极绝缘膜插入其之间；

互相分开地提供在所述第一氧化物半导体层之上的源区和漏区；

在所述源区之上并且与其接触的源电极，以及在所述漏区之上并且与其接触的漏电极；以及

与该第一氧化物半导体层的一部分接触的阻挡膜。

3.一种半导体器件，其包括：

在具有绝缘表面的衬底之上的栅电极层；

在所述栅电极层之上的栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜之上的第一氧化物半导体层；

提供在与所述第一氧化物半导体层的沟道形成区重叠的区域中的沟道保护层；

在所述第一氧化物半导体层之上的源电极和漏电极；

在所述源电极和所述第一氧化物半导体层之间的源区，以及在所述漏电极和所述第一氧化物半导体层之间的漏区；以及

与所述沟道保护层的一部分接触的阻挡膜。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中所述阻挡膜包括氧化铝膜、氮化铝膜、氧氮化铝膜和氮氧化铝膜中的一个或多个。

5.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中所述阻挡膜的厚度大于或等于1nm并且小于或等于200nm。

6.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中所述栅极绝缘膜包括氧化铝膜、氮化铝膜、氧氮化铝膜和氮氧化铝膜中的一个或多个。

7.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中所述第一氧化物半导体层包括铟、镓和锌。

8.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中所述源区和所述漏区用具有比所述第一氧化物半导体层更高电导率的第二氧化物半导体层形成。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二氧化物半导体层包括铟、镓和锌。