[发明专利]基底处理方法、基底和用于实施该方法的处理装置无效
| 申请号： | 200980145364.6 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102217031A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | D·哈伯曼 | 申请（专利权）人： | 吉布尔.施密德有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李永波;梁冰 |
| 地址： | 德国弗罗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在一种用于处理由硅构成的太阳能电池的基底（13）的方法中，在多次蚀刻之后，利用DI水来清洁（18）基底。接下来，在干燥站（22、25）中干燥和加热基底（13）。然后在氧化站（30）中用带有臭氧成分的氧化气体（34）来氧化已加热的基底（13）。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 处理 方法 用于 实施 装置 | ||
【主权项】：
一种用于处理基底（13）特别是太阳能电池的方法，其中基底（13）至少在其外侧面上含有硅或者具有硅材料，其中在处理期间对基底进行多次蚀刻，其间利用水或DI水（20）进行多个清洁步骤，其特征在于，最后对基底（13）进行干燥和加热，以便尽可能地很大程度上地干燥表面并去除水，接下来利用至少含有少量臭氧的气体混合物（34）对基底（13）或基底表面进行氧化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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