[发明专利]基底处理方法、基底和用于实施该方法的处理装置

权利要求书

1.一种用于处理基底（13）特别是太阳能电池的方法，其中基底（13）至少在其外侧面上含有硅或者具有硅材料，其中在处理期间对基底进行多次蚀刻，其间利用水或DI水（20）进行多个清洁步骤，其特征在于，最后对基底（13）进行干燥和加热，以便尽可能地很大程度上地干燥表面并去除水，接下来利用至少含有少量臭氧的气体混合物（34）对基底（13）或基底表面进行氧化。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用受热的气体对基底（13）进行干燥和加热。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，用于氧化的气体混合物（34）具有如下组的组分：N₂、O₂、O₃。

4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在干燥和加热的步骤期间，将基底（13）加热到至少50℃的温度，优选至少加热到100℃~150℃。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，直接在干燥和加热的步骤之前，用DI水（20）对基底（13）再清洁一次。

6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，它采用在线方式来实施。

7.根据前述权利要求中任一项的方法的用于处理太阳能电池的基底（13）或太阳能电池晶片的应用。

8.一种太阳能电池晶片（13），其特征在于，它已采用根据前述权利要求中任一项的方法被处理。

9.如权利要求8所述的太阳能电池晶片，其特征在于，它带有硅层。

10.如权利要求8所述的太阳能电池晶片，其特征在于，它由硅构成。

11.一种用于基底（13）特别是太阳能电池的处理装置，其中基底至少在其外侧面上含有硅或者具有硅材料，其中处理装置（11）具有至少一个用于基底（13）的蚀刻装置（15）和至少一个利用水或DI水（34）的清洁装置，其特征在于，至少一个干燥站（22、25）设置有加热机构（24、27），用于尽可能地很大程度上地干燥基底（13）的表面和去除水，其中在干燥站（22、25）之后设置有用于基底（13）或基底表面的氧化站（30），并引入至少含有少量臭氧的气体混合物（34）。

12.如权利要求11所述的处理装置，其特征在于，设置有两个干燥站（22、25）。