[发明专利]晶片级降压转换器有效
| 申请号： | 200980143004.2 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102197347A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘永;王琦 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | G05F1/00 | 分类号： | G05F1/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种降压转换器模块，其包含：高侧(HS)裸片，在所述HS裸片的前侧上具有源极接合垫、漏极接合垫及栅极接合垫；低侧(LS)裸片，其具有第一区段，其中多个穿硅导通孔(TSV)从所述LS裸片的背侧延伸到前侧，所述LS裸片具有位于与所述第一区段分离的第二区段的前侧上的源极接合垫、漏极接合垫及栅极接合垫，所述漏极接合垫在所述第二区段中电连接到所述LS裸片的所述背侧。所述HS裸片与所述LS裸片接合在一起使得所述HS裸片的所述源极接合垫电连接到所述LS裸片的所述背侧，且所述漏极接合垫及栅极接合垫中的每一者电连接到所述LS裸片中的单独TSV。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 降压 转换器 | ||
【主权项】：
一种降压转换器模块，其包括：a)高侧(HS)裸片，在所述HS裸片的前侧上具有源极接合垫、漏极接合垫及栅极接合垫；b)低侧(LS)裸片，其具有第一区段，其中多个穿硅导通孔(TSV)从所述LS裸片的背侧延伸到前侧，所述LS裸片具有位于与所述第一区段分离的第二区段的前侧上的源极接合垫、漏极接合垫及栅极接合垫，所述漏极接合垫在所述第二区段中电连接到所述LS裸片的所述背侧；且c)所述HS裸片与所述LS裸片接合在一起使得所述HS裸片的所述源极接合垫电连接到所述LS裸片的所述背侧，且所述漏极接合垫及栅极接合垫中的每一者电连接到所述LS裸片中的单独TSV。
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