[发明专利]晶片级降压转换器

权利要求书

1.一种降压转换器模块，其包括：

a)高侧(HS)裸片，在所述HS裸片的前侧上具有源极接合垫、漏极接合垫及栅极接合垫；

b)低侧(LS)裸片，其具有第一区段，其中多个穿硅导通孔(TSV)从所述LS裸片的背侧延伸到前侧，所述LS裸片具有位于与所述第一区段分离的第二区段的前侧上的源极接合垫、漏极接合垫及栅极接合垫，所述漏极接合垫在所述第二区段中电连接到所述LS裸片的所述背侧；且

c)所述HS裸片与所述LS裸片接合在一起使得所述HS裸片的所述源极接合垫电连接到所述LS裸片的所述背侧，且所述漏极接合垫及栅极接合垫中的每一者电连接到所述LS裸片中的单独TSV。

2.根据权利要求1所述的降压转换器模块，其进一步包含所述LS裸片的所述接合垫上及所述LS裸片的所述前侧上的所述TSV上的焊料凸块。

3.根据权利要求1所述的降压转换器模块，其进一步包含将所述LS裸片与所述HS裸片连接并接合在一起的各向异性导电膜。

4.根据权利要求1所述的降压转换器模块，其进一步包含附接到所述HS裸片的所述源极接合垫、漏极接合垫及栅极接合垫的金属板。

5.根据权利要求4所述的降压转换器模块，其中所述金属板包括铜螺柱及金凸块中的一者。

6.根据权利要求1所述的降压转换器模块，其中所述LS裸片的所述前侧上的所述TSV具有大于所述LS裸片的所述背侧上的所述TSV的表面积。

7.根据权利要求1所述的降压转换器模块，其中所述TSV的侧与所述LS裸片的其余部分绝缘。

8.根据权利要求1所述的降压转换器模块，其进一步包含所述LS裸片的所述前侧及所述背侧的表面上的位于所述TSV之间的电绝缘材料。

9.根据权利要求8所述的降压转换器模块，其中所述第一及第二区域中的所述绝缘材料层在所述第一区段中延伸到所述LS裸片的三个侧。

10.一种降压转换器模块，其包括：

a)高侧(HS)裸片，在所述HS裸片的前侧上具有源极接合垫、漏极接合垫及栅极接合垫，其中金属板附接到所述接合垫中的每一者；

b)低侧(LS)裸片，其具有第一区段，其中多个穿硅导通孔(TSV)从所述LS裸片的背侧延伸到前侧，所述LS裸片具有位于与所述第一区段分离的第二区段的前侧上的源极接合垫、漏极接合垫及栅极接合垫，所述漏极接合垫在所述第一区段中电连接到所述LS裸片的所述背侧，其中所述TSV的侧与延伸于所述TSV之间且在所述LS裸片的所述前侧及所述背侧上延伸到所述LS裸片的三个侧的绝缘体接触；

c)所述HS裸片与所述LS裸片通过各向异性导电膜接合在一起使得所述HS裸片的所述源极接合垫电连接到所述LS裸片的所述背侧，且所述漏极接合垫及栅极接合垫中的每一者电连接到所述LS裸片中的单独TSV；及

d)多个焊料凸块，其附接到所述LS裸片的所述接合垫及位于所述LS裸片的所述前侧的所述TSV上。

11.根据权利要求10所述的降压转换器模块，其进一步包含附接到所述源极接合垫、漏极接合垫及栅极接合垫的金属板。

12.根据权利要求11所述的降压转换器模块，其中所述金属板包括铜螺柱及金凸块中的一者。

13.一种制作降压转换器模块的方法，其包括以下步骤：

a)形成高侧(HS)裸片，在所述HS裸片的第一区段中所述HS裸片的前侧上具有源极接合垫，且在所述HS裸片的第二区段的所述第一侧上具有漏极接合垫及栅极接合垫；

b)形成低侧(LS)裸片，在所述LS裸片的第一区段中所述LS裸片的前侧上具有源极接合垫、漏极接合垫及栅极接合垫，所述LS裸片的所述前侧具有与所述LS裸片的所述前侧相对的背侧，其中在所述第一区段中所述LS裸片的所述背侧处具有漏极连接；

c)在所述LS裸片的第二区段中形成多个穿硅导通孔(TSV)，所述TSV从所述LS裸片的所述前侧延伸到所述背侧；及

d)将所述HS裸片的所述源极接合垫电连接到所述LS裸片的所述背侧处的所述漏极连接，并将所述HS裸片的所述漏极接合垫及栅极接合垫连接到所述LS裸片的所述背侧上的所述TSV的端。