[发明专利]集成电路装置无效
| 申请号： | 200980141666.6 | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN102187400A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 竹内健;安福正;石田光一;高宫真;樱井贵康 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东京大学 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C7/00;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘瑞东;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明在层叠了DRAM芯片20和闪速存储器芯片22的层叠体24的上面，配置具有升压电路40的介入层30。从而，可实现装置的小型化。另外，作为升压电路40，采用具有电感器的升压转换器，因此，与采用多个电容器并联而成的充电泵的情况相比，可实现装置的小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
一种集成电路装置，其特征在于，具备：层叠体，其由多个集成电路芯片层叠而成，上述集成电路芯片包括具有在第1电压下操作的第1集成电路的第1集成电路芯片，在上述层叠体的一个端面配置有介入层，上述介入层具有升压供电电路，上述升压供电电路将从电源侧供给的规定电压升压到上述第1电压后供给构成上述层叠体的上述第1集成电路芯片的上述第1集成电路。
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