[发明专利]包含用于穿硅通孔的穿透结构的堆叠式裸片互连结构有效
| 申请号： | 200980141580.3 | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102187458A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 欧文·R·费伊;沃伦·M·法恩沃思;戴维·R·亨布里 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示包含用于穿硅通孔的穿透结构的堆叠式裸片互连结构以及相关联的系统及方法。根据特定实施例，一种系统包含具有第一衬底材料的第一半导体衬底及由所述第一半导体衬底承载的穿透结构。所述系统进一步包含具有带有预形成的凹部的第二衬底材料的第二半导体衬底。所述第一半导体衬底的所述穿透结构接纳于所述第二半导体衬底的所述凹部中且与所述凹部机械啮合并紧固到所述第二半导体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 用于 穿硅通孔 穿透 结构 堆叠 式裸片 互连 | ||
【主权项】：
一种半导体系统，其包括：第一半导体衬底，其具有第一衬底材料；第一导电材料，其由所述第一半导体衬底承载且形成穿透结构；第二半导体衬底，其具有第二衬底材料，带有第一表面、背对所述第一表面的第二表面及沿着通孔轴线从所述第一表面延伸到所述第二表面的穿衬底通孔；及第二导电材料，其由所述第二半导体衬底承载且具有沿着所述通孔轴线定位的预形成的凹部，所述穿透结构接纳于所述凹部中且与所述第一导电材料机械接触及电接触。
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