[发明专利]等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置

摘要

将含有具有堆积性的蚀刻气体即氟碳系气体的处理气体和作为添加气体的SF6气体导入处理室内，并且在处理室内生成等离子体，通过该等离子体，对基板上形成的含硅氧化膜以抗蚀图案作为掩模进行蚀刻。此时，基于添加气体的流量变化与蚀刻速率及抗蚀剂选择比的变化关系，将添加气体的流量设定在如下的添加气体的流量范围内，即，伴随添加气体流量的增大，蚀刻速率及抗蚀剂选择比的变化均处于上升的趋势的流量范围。

主权项

一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，包括下列工序：在处理室内配置形成有含硅氧化膜的基板；和将含有氟碳系气体的处理气体和作为添加气体的SF6气体导入所述处理室内，并且在所述处理室内生成等离子体，使用抗蚀图形作为掩模，通过所述等离子体进行所述含硅氧化膜的蚀刻，其中所述氟碳系气体为具有堆积性的蚀刻气体；并且，基于所述添加气体的流量变化与蚀刻速率及抗蚀剂选择比的变化的关系，将所述添加气体的流量设定在如下的所述添加气体的流量范围内，即，伴随所述添加气体流量的增大，所述蚀刻速率及所述抗蚀剂选择比的变化均处于上升趋势的流量范围。