[发明专利]等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于，包括下列工序：

在处理室内配置形成有含硅氧化膜的基板；和

将含有氟碳系气体的处理气体和作为添加气体的SF₆气体导入所述处理室内，并且在所述处理室内生成等离子体，使用抗蚀图形作为掩模，通过所述等离子体进行所述含硅氧化膜的蚀刻，其中所述氟碳系气体为具有堆积性的蚀刻气体；并且，

基于所述添加气体的流量变化与蚀刻速率及抗蚀剂选择比的变化的关系，将所述添加气体的流量设定在如下的所述添加气体的流量范围内，即，伴随所述添加气体流量的增大，所述蚀刻速率及所述抗蚀剂选择比的变化均处于上升趋势的流量范围。

2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，将所述添加气体的流量设定成：在所述关系中，伴随所述添加气体流量的增大，所述抗蚀剂选择比的变化从上升趋势变为下降趋势的变化点所对应的值，即所述流量范围内的最大值。

3.如权利要求1所述的等离子蚀刻方法，其特征在于，所述添加气体的流量为所述氟碳系气体的流量的70％以下。

4.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，除了所述SF₆气体之外还将O₂气体作为所述添加气体导入所述处理室内。

5.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于，使用常温下为液态的氟碳系液体原料作为所述氟碳系气体的原料，用气化器使所述氟碳系液体原料气化而制成所述氟碳系气体之后，供给所述处理室内。

6.一种等离子体蚀刻装置，其特征在于，通过在处理室内生成规定的气体的等离子体，对形成在基板上的含硅氧化膜以抗蚀图形作为掩模进行蚀刻，所述等离子体蚀刻装置具备：

处理气体供给系统，向所述处理室内供给含有氟碳系气体的处理气体；

添加气体供给系统，向所述处理室内供给作为添加气体的SF₆气体；

控制部，至少控制所述处理气体供给系统及所述添加气体供给系统；

其中，所述控制部如下构成：

将含有氟碳系气体的处理气体和作为添加气体的SF₆气体导入所述处理室内，并且在所述处理室内生成等离子体，使用所述抗蚀图形作为掩模，通过所述等离子体进行所述含硅氧化膜的蚀刻时，分别将所述处理气体的流量及所述添加气体的流量控制成规定值，其中所述氟碳系气体为具有堆积性的蚀刻气体，

所述添加气体的规定值是基于所述添加气体的流量变化与蚀刻速率及抗蚀剂选择比的变化的关系，设定在如下的所述添加气体的流量范围内，即，伴随所述添加气体流量的增大，所述蚀刻速率及所述抗蚀剂选择比的变化均处于上升趋势的流量范围。