[发明专利]制造氮化物基半导体发光元件的方法和制造外延晶片的方法无效
| 申请号： | 200980141390.1 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102187482A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 住友隆道;秋田胜史;京野孝史;善积祐介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/205;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制造氮化物基半导体发光元件的方法，该方法在形成p型氮化镓基半导体区域和势垒层时可减少阱层的劣化。在生长出氮化镓基半导体区域(13)后，在衬底(11)上生长势垒层(21a)。势垒层(21a)在时刻t1～t2的期间内在生长温度TB下形成。生长温度TB(＝T2)在摄氏760度以上、摄氏800度以下的范围内。在时刻t2，势垒层(21a)的生长结束。在生长出势垒层(21a)后，不中断生长而在衬底(11)上生长阱层(23a)。阱层(23a)在时刻t2～t3的期间内在生长温度TW(＝T2)下形成。生长温度TW与生长温度TB相同，并且可在摄氏760度以上、摄氏800度以下的范围内。阱层(23a)的铟含量为0.15以上。继而，不中断生长而反复进行阱层和势垒层的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化物 半导体 发光 元件 方法 外延 晶片 | ||
【主权项】：
一种制造氮化物基半导体发光元件的方法，其特征在于，包括：在包含氮化镓基半导体的半导体区域的主面上生长用于有源层的势垒层的步骤，在所述势垒层上生长用于所述有源层的阱层的步骤，和在所述有源层上生长p型氮化镓基半导体区域的步骤；所述半导体区域的所述主面表现出相对于所述氮化镓基半导体的c面而倾斜的半极性，所述阱层包含InGaN，所述阱层的铟含量为0.15以上，所述势垒层包含与所述阱层不同的氮化镓基半导体，所述阱层的生长温度与所述势垒层的生长温度相同，所述p型氮化镓基半导体区域包含一个或多个p型氮化镓基半导体层，所述p型氮化镓基半导体层各自的生长温度高于所述阱层的生长温度和所述势垒层的生长温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980141390.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
