[发明专利]制造氮化物基半导体发光元件的方法和制造外延晶片的方法

权利要求书

1.一种制造氮化物基半导体发光元件的方法，其特征在于，

包括：

在包含氮化镓基半导体的半导体区域的主面上生长用于有源层的势垒层的步骤，

在所述势垒层上生长用于所述有源层的阱层的步骤，和

在所述有源层上生长p型氮化镓基半导体区域的步骤；

所述半导体区域的所述主面表现出相对于所述氮化镓基半导体的c面而倾斜的半极性，

所述阱层包含InGaN，

所述阱层的铟含量为0.15以上，

所述势垒层包含与所述阱层不同的氮化镓基半导体，

所述阱层的生长温度与所述势垒层的生长温度相同，

所述p型氮化镓基半导体区域包含一个或多个p型氮化镓基半导体层，

所述p型氮化镓基半导体层各自的生长温度高于所述阱层的生长温度和所述势垒层的生长温度。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体区域的所述主面的法线向量相对于c面((0001)面)或该c面的背面(000-1)面中任一面的法线向量以60度以上、90度以下的范围的角度倾斜。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述阱层的铟含量为0.20以上，

所述有源层以产生在500nm以上的波长区域内具有峰值波长的光的方式设置。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，

所述阱层的所述生长温度和所述势垒层的所述生长温度为摄氏800度以下，

所述p型氮化镓基半导体区域的所述生长温度为摄氏1000度以下。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述阱层的所述生长温度和所述势垒层的所述生长温度为摄氏700度以上、摄氏760度以下。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述p型氮化镓基半导体区域的所述生长温度高于摄氏850度且为摄氏950度以下。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述p型氮化镓基半导体区域的生长温度的最高值与所述阱层的生长温度的温度差为200度以下。

8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，

所述阱层的铟含量为0.25以上、0.35以下，

来自所述有源层的发光的振荡波长为500nm以上。

9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述p型氮化镓基半导体区域的厚度为50nm以上、700nm以下。

10.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述阱层的所述生长温度和所述势垒层的所述生长温度为摄氏760度以上、摄氏800度以下。

11.如权利要求1至4和权利要求10中任一项所述的方法，其特征在于，所述p型氮化镓基半导体区域的所述生长温度高于摄氏950度且为摄氏1000度以下。

12.如权利要求1至4和权利要求10至11中任一项所述的方法，其特征在于，

所述阱层的铟含量为0.20以上、0.25以下，

来自所述有源层的发光的峰值波长为500nm以上，

在所述峰值波长下，来自所述有源层的发光强度显示最大值。

13.如权利要求1至4和权利要求10至12中任一项所述的方法，其特征在于，所述p型氮化镓基半导体区域的厚度为40nm以上、200nm以下。

14.如权利要求1至4和权利要求10至13中任一项所述的方法，其特征在于，所述p型氮化镓基半导体区域的生长温度的最高值与所述阱层的生长温度的温度差为250度以下。

15.如权利要求1至14中任一项所述的方法，其特征在于，所述p型氮化镓基半导体区域包含AlGaN层。

16.如权利要求1至15中任一项所述的方法，其特征在于，

还包括准备包含氮化镓基半导体的衬底的步骤，

所述衬底的主面相对于所述氮化镓基半导体的c面而倾斜。