[发明专利]在非易失性存储器中防止无意的永久写保护有效
| 申请号： | 200980140915.X | 申请日： | 2009-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102187401A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 戴维·弗朗西斯·米图斯;布鲁斯·爱德华·比彻姆;塞缪尔·亚历山大;埃扎那·H·阿贝拉 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | G11C16/22 | 分类号： | G11C16/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可在用于集成电路装置的不同编程功能的不同电压电平之间建立输入电压范围，因此实施非操作的保护区(“安全区”)以促进防止无意的不可逆编程操作，例如，所述装置中的非易失性可编程存储器的永久写保护。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 防止 无意 永久 写保护 | ||
【主权项】：
一种具有非易失性可编程存储器的集成电路装置，其包含：非易失性存储器；存储器控制与编程逻辑，其耦合到所述非易失性存储器且适于将数据写入到所述非易失性存储器；至少一个多功能输入连接，其耦合到所述存储器控制与编程逻辑，其中所述至少一个多功能输入用于实现对写入到所述非易失性存储器的所述数据的写保护；其中所述写保护包含当所述至少一个多功能输入上的电压小于第一电压值时的永久写保护，及当所述至少一个多功能输入上的所述电压大于第二电压值时的临时写保护，所述第二电压值大于所述第一电压值；且其中当所述至少一个多功能输入上的所述电压等于或大于所述第一电压值且小于或等于所述第二电压值时不能够实现所述写保护。
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