[发明专利]在非易失性存储器中防止无意的永久写保护

权利要求书

1.一种具有非易失性可编程存储器的集成电路装置，其包含：

非易失性存储器；

存储器控制与编程逻辑，其耦合到所述非易失性存储器且适于将数据写入到所述非易失性存储器；

至少一个多功能输入连接，其耦合到所述存储器控制与编程逻辑，其中所述至少一个多功能输入用于实现对写入到所述非易失性存储器的所述数据的写保护；

其中所述写保护包含

当所述至少一个多功能输入上的电压小于第一电压值时的永久写保护，及

当所述至少一个多功能输入上的所述电压大于第二电压值时的临时写保护，

所述第二电压值大于所述第一电压值；且

其中当所述至少一个多功能输入上的所述电压等于或大于所述第一电压值且小于或等于所述第二电压值时不能够实现所述写保护。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述第一电压值大致等于比电源电压高约0.5伏。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述第二电压值大致等于比电源电压高约4.8伏。

4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述第二电压值大致等于约7伏。

5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述永久写保护包含编程永久写保护熔丝。

6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述临时写保护包含编程临时写保护熔丝。

7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述存储器控制与编程逻辑包含：

编程电平检测电路，其中所述编程电平检测电路确定

所述至少一个多功能输入上的所述电压何时小于所述第一电压值，

所述至少一个多功能输入上的所述电压何时等于或大于所述第一电压值且小于或等于所述第二电压，及

所述至少一个多功能输入上的所述电压何时大于所述第二电压；及

逻辑，其用于依据所述至少一个多功能输入上的所述电压而允许所述永久写保护、不允许所述永久及所述临时写保护及允许所述临时写保护。

8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其进一步包含耦合到所述非易失性存储器的数字处理器。

9.根据权利要求8所述的集成电路装置，其进一步包含耦合到所述数字处理器的若干数字电路及至少一个数字输入-输出连接。

10.根据权利要求9所述的集成电路装置，其中所述至少一个数字输入-输出连接为多功能输入-输出连接。

11.根据权利要求8所述的集成电路装置，其进一步包含耦合到所述数字处理器的若干模拟电路及至少一个模拟输入-输出连接。

12.根据权利要求11所述的集成电路装置，其中所述至少一个模拟输入-输出连接为多功能输入-输出连接。

13.一种用于防止集成电路装置中的非易失性可编程存储器的无意的永久写保护的方法，其包含：

将集成电路装置的多功能输入连接的输入上的电压与第一及第二电压值相比较，其中所述第二电压值大于所述第一电压值；

如果所述多功能输入连接的所述输入上的所述电压小于所述第一电压值，那么允许所述集成电路装置中的可编程存储器的永久写保护；

如果所述多功能输入连接的所述输入上的所述电压大于所述第二电压值，那么允许所述集成电路装置中的所述可编程存储器的临时写保护；及

如果所述多功能输入连接的所述输入上的所述电压等于或大于所述第一电压值且小于或等于所述第二电压，那么不允许所述可编程存储器的写保护。