[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其能够获得同时实现较高的开关速度与较低的导通电阻的IGBT。该IGBT(10)中，结晶缺陷层(25)在有源区(20)中形成于n层(102)中，在无源区(40)形成于p型基板(101)中。即，有源区(20)中的结晶缺陷层(25)形成于从表面观察时比无源区(40)中的结晶缺陷层(25)浅的位置。在该IGBT(10)中，通过上述构成使得空穴注入量在无源区(40)中减少，从而提高开关速度。另一方面，有源区(20)中空穴注入量的减少量比无源区(40)少。因此能够抑制此时的导通电阻的增大。

主权项

一种半导体装置，其在构成为在p型基板上形成有n层的半导体基板上具有绝缘栅双极型晶体管元件，该绝缘栅双极型晶体管元件构成为将上述p型基板作为集电极，将上述n层作为基极，在表面侧形成有发射极和栅极，在上述半导体基板中形成有导入了很多结晶缺陷的结晶缺陷层，该半导体装置的特征在于，从上述表面观察时，在上述半导体基板中作为形成有上述绝缘栅双极型晶体管元件的区域的有源区中的上述结晶缺陷层相比于在上述半导体基板中作为未形成上述绝缘栅双极型晶体管元件的区域的无源区中的上述结晶缺陷层，形成于浅的位置。