[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其在构成为在p型基板上形成有n层的半导体基板上具有绝缘栅双极型晶体管元件，该绝缘栅双极型晶体管元件构成为将上述p型基板作为集电极，将上述n层作为基极，在表面侧形成有发射极和栅极，在上述半导体基板中形成有导入了很多结晶缺陷的结晶缺陷层，该半导体装置的特征在于，

从上述表面观察时，在上述半导体基板中作为形成有上述绝缘栅双极型晶体管元件的区域的有源区中的上述结晶缺陷层相比于在上述半导体基板中作为未形成上述绝缘栅双极型晶体管元件的区域的无源区中的上述结晶缺陷层，形成于浅的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，按照使上述无源区中的空穴注入量少于上述有源区中的空穴注入量的方式，在上述有源区和上述无源区中形成有上述结晶缺陷层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在上述有源区中与所形成的绝缘栅双极型晶体管元件的发射极连接的发射极公共电极由离子阻止本领大于上述半导体基板的材料形成。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，上述发射极公共电极含有镍或含镍合金而形成。

5.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在构成为在p型基板上形成有n层的半导体基板上具有绝缘栅双极型晶体管元件，该绝缘栅双极型晶体管元件构成为将上述p型基板作为集电极，将上述n层作为基极，在表面侧形成有发射极和栅极，在上述半导体基板中形成有导入了很多结晶缺陷的结晶缺陷层，

该制造方法的特征在于包括：

晶体管形成步骤，在上述半导体基板上形成上述绝缘栅双极型晶体管元件；

电极形成步骤，在上述绝缘栅双极型晶体管元件上形成与上述绝缘栅双极型晶体管元件的发射极连接的发射极公共电极；以及

离子注入步骤，从上述表面侧进行离子注入，从而在上述半导体基板中形成上述结晶缺陷层。