[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 200980137844.8 申请日: 2009-08-28
公开(公告)号: CN102160104A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 山崎舜平;秋元健吾;小森茂树;鱼地秀贵;和田理人;千叶阳子 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02F1/133;G02F1/1345;G02F1/1368;G02F1/167;H01L21/28;H01L21/3205;H01L23/52;H01L29/786
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱海煜;王忠忠
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种显示装置包括其中像素以矩阵状排列的像素部,该像素包括:具有含氧量不同的至少两种氧化物半导体层的组合并在与栅电极层重叠的成为沟道形成区的半导体层上具有沟道保护层的反交错型薄膜晶体管;以及与该反交错型薄膜晶体管电连接的像素电极层。在该显示装置中的该像素部的周边,设置有包括由与所述像素电极层相同材料而形成的导电层的焊盘部。并且,所述导电层电连接到形成在对置衬底上的共同电极层。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:具有像素部和共同连接部的第一衬底;具有第一导电层的第二衬底;以及所述第一衬底与所述第二衬底之间的导电粒子,其中,所述像素部包括:所述第一衬底上的栅电极;所述栅电极上的第一绝缘层;所述第一绝缘层上的第一氧化物半导体层;所述第一氧化物半导体层的一部分上的第二绝缘层;所述第一氧化物半导体层以及所述第二绝缘层上的第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层;所述第一绝缘层以及所述第二氧化物半导体层上的第二导电层;所述第一绝缘层以及所述第三氧化物半导体层上的第三导电层;所述第二及第三导电层以及所述第二绝缘层上的第三绝缘层,该第三绝缘层具有形成在所述第三导电层上的第一接触孔;以及所述第三绝缘层上的通过所述第一接触孔电连接到所述第三导电层的第四导电层,其中,所述共同连接部包括:所述第一衬底上的第四绝缘层;所述第四绝缘层上的第五导电层;具有形成在所述第五导电层上的第二接触孔的第五绝缘层;以及所述第五绝缘层上的通过所述第二接触孔电连接到所述第五导电层的第六导电层,其中,所述共同连接部中的所述第六导电层通过所述导电粒子电连接到所述第一导电层,并且,所述第二导电层、所述第三导电层以及所述第五导电层由相同材料形成,并且,所述第四导电层和所述第六导电层由相同材料形成,并且,所述第一绝缘层和所述第四绝缘层由相同材料形成,并且,所述第三绝缘层和所述第五绝缘层由相同材料形成。
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