[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

具有像素部和共同连接部的第一衬底；

具有第一导电层的第二衬底；以及

所述第一衬底与所述第二衬底之间的导电粒子，

其中，所述像素部包括：

所述第一衬底上的栅电极；

所述栅电极上的第一绝缘层；

所述第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层的一部分上的第二绝缘层；

所述第一氧化物半导体层以及所述第二绝缘层上的第二氧化物半导体层以及第三氧化物半导体层；

所述第一绝缘层以及所述第二氧化物半导体层上的第二导电层；

所述第一绝缘层以及所述第三氧化物半导体层上的第三导电层；

所述第二及第三导电层以及所述第二绝缘层上的第三绝缘层，该第三绝缘层具有形成在所述第三导电层上的第一接触孔；以及

所述第三绝缘层上的通过所述第一接触孔电连接到所述第三导电层的第四导电层，

其中，所述共同连接部包括：

所述第一衬底上的第四绝缘层；

所述第四绝缘层上的第五导电层；

具有形成在所述第五导电层上的第二接触孔的第五绝缘层；以及

所述第五绝缘层上的通过所述第二接触孔电连接到所述第五导电层的第六导电层，

其中，所述共同连接部中的所述第六导电层通过所述导电粒子电连接到所述第一导电层，

并且，所述第二导电层、所述第三导电层以及所述第五导电层由相同材料形成，

并且，所述第四导电层和所述第六导电层由相同材料形成，

并且，所述第一绝缘层和所述第四绝缘层由相同材料形成，

并且，所述第三绝缘层和所述第五绝缘层由相同材料形成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述共同连接部还包括夹在所述第四绝缘层与所述第五导电层之间的第四氧化物半导体层，

并且，所述第一氧化物半导体层和所述第四氧化物半导体层由相同材料形成。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述共同连接部还包括夹在所述第四绝缘层与所述第五导电层之间的第五氧化物半导体层，

并且，所述第二氧化物半导体层、所述第三氧化物半导体层以及所述第五氧化物半导体层由相同材料形成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一至第三氧化物半导体层包含铟、镓及锌。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二导电层、所述第三导电层以及所述第五导电层包含Ti。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电粒子包含在密封材料中，

并且，所述第一衬底使用所述密封材料固定到所述第二衬底。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体层具有比所述第二以及第三氧化物半导体层更高的氧浓度。