[发明专利]制备用于亚毫米级导电格栅的具有亚毫米级开口的掩模的方法、掩模及亚毫米级导电格栅

摘要

本发明涉及制备具有亚毫米级开口(1、10)的掩模的方法，其中，将第一溶剂中的胶体纳米颗粒的第一溶液沉积而得到遮蔽层，所述颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg，在低于温度Tg的温度下进行称为第一遮蔽层的遮蔽层的干燥，直至得到具有基本上直边缘的亚毫米级开口的二维网络的掩膜，由此限定被称为网络掩模区的掩模区，通过在第二掩蔽区的表面上进行液体沉积而形成固体掩模区，所述固体掩模区相邻于并接触网络掩膜区，和/或形成至少一个覆盖区，所述覆盖区与网络掩模区接触，和/或在第一遮蔽层干燥后，通过液体途径填充网络掩模区的部分开口，形成经填充的掩模区。本发明还涉及所得的掩模和导电格栅。

主权项

一种制备具有亚毫米级开口(10)的掩模(1)的方法，在基底的主表面上，通过沉积给定溶液的液体遮蔽层、并使其干燥来形成所述掩模，其特征在于，‑对于所述遮蔽层，将稳定和分散在第一溶剂中的胶体纳米颗粒的第一溶液沉积，所述纳米颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg；‑在低于温度Tg的温度下进行被称为第一遮蔽层的遮蔽层干燥，直至得到被称为网络掩模的具有亚毫米开口的二维网络的掩模，其具有基本上直的掩模区边缘，所述网络掩模位于被称为网络掩模区的区域中，并且其特征在于，所述方法包括通过液体沉积在第二遮蔽层的表面上形成固体掩模区，所述固体掩模区与所述网络掩模区相邻并接触，和/或所述方法包括通过在所述表面上放置至少一个覆盖物而形成至少一个覆盖区，所述覆盖区与所述网络掩模区接触，和/或在第一遮蔽层干燥之后，所述方法包括通过将一部分所述网络掩模区的开口进行液体填充，形成经填充的掩模区。