[发明专利]制备用于亚毫米级导电格栅的具有亚毫米级开口的掩模的方法、掩模及亚毫米级导电格栅

权利要求书

1.一种制备具有亚毫米级开口(10)的掩模(1)的方法，在基底的主表面上，通过沉积给定溶液的液体遮蔽层、并使其干燥来形成所述掩模，其特征在于，

-对于所述遮蔽层，将稳定和分散在第一溶剂中的胶体纳米颗粒的第一溶液沉积，所述纳米颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg；

-在低于温度Tg的温度下进行被称为第一遮蔽层的遮蔽层干燥，直至得到被称为网络掩模的具有亚毫米开口的二维网络的掩模，其具有基本上直的掩模区边缘，所述网络掩模位于被称为网络掩模区的区域中，

并且其特征在于，所述方法包括通过液体沉积在第二遮蔽层的表面上形成固体掩模区，所述固体掩模区与所述网络掩模区相邻并接触，

和/或所述方法包括通过在所述表面上放置至少一个覆盖物而形成至少一个覆盖区，所述覆盖区与所述网络掩模区接触，

和/或在第一遮蔽层干燥之后，所述方法包括通过将一部分所述网络掩模区的开口进行液体填充，形成经填充的掩模区。

2.权利要求1的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，在低于50℃的温度、优选在环境温度下进行第一遮蔽层的干燥。

3.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，第一溶液的溶剂是水性的，所述纳米颗粒是聚合物的，优选丙烯酸类共聚物、聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚酯或它们的共混物，和/或包含无机纳米颗粒，优选二氧化硅、氧化铝或氧化铁。

4.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，在低于温度50℃、优选在环境温度下干燥通过液体途径沉积的第二遮蔽层和/或经填充的区。

5.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，对于通过液体途径形成固体区或经填充的掩模区，将包含稳定并分散在优选水性溶剂中的胶体纳米颗粒的第二溶液沉积，所述纳米颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg，并且第二遮蔽层或经填充的区在高于所述温度Tg的温度下被干燥。

6.前一权利要求的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，第二溶液的每种聚合物的玻璃化转变温度Tg小于或等于30℃。

7.权利要求5或6的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，第二溶液包含聚合物纳米颗粒，优选丙烯酸共聚物、聚苯乙烯、聚(甲基)丙烯酸酯、聚酯或它们的共混物，和/或包含无机的纳米颗粒，优选二氧化硅、氧化铝或氧化铁。

8.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，就固体区或经填充的掩膜区的形成而言，通过热处理来沉积负载有微米级的非固结无机颗粒的浆料。

9.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，就固体区的形成而言，在所述网络掩模形成后，通过沉积溶解的聚合物的水溶液而形成可剥离的粘合聚合物膜，或形成可溶性聚合物膜，聚合物尤其基于聚乙烯醇，然后用水溶液洗涤去除所述可溶性聚合物膜。

10.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，就经填充的区的形成而言，通过所述开口来沉积溶解的聚合物的聚合物溶液，所述聚合物尤其基于聚乙烯醇，然后用水溶液洗涤来除去经填充的掩模，选择所述第一溶液是水性的。

11.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，将一个或多个所述覆盖物放置在所述网络掩模上。

12.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，第二遮蔽层或填充层的沉积或覆盖物将所述网络掩模区分为至少两个区域。

13.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，所述方法包括通过机械和/或光学去除所述网络掩模区的至少一个外围部分，所述网络掩膜任选为填充区，和/或通过部分机械和/或光学去除至少一个固体或经填充的掩模区，而在所述表面形成无遮蔽区。

14.权利要求10的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，第二遮蔽层或填充层的沉积或覆盖物将网络掩模区和无遮蔽区分开。

15.前述权利要求之一的制备具有亚毫米级开口的掩模的方法，其特征在于，第一溶液和/或如果合适的第二溶液或填充溶液的纳米颗粒的形状和大小基本不受干燥改变。