[发明专利]显示装置有效
| 申请号: | 200980137189.6 | 申请日: | 2009-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN102160103A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
| 发明(设计)人: | 山崎舜平;秋元健吾;小森茂树;鱼地秀贵;二村智哉;笠原崇广 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;G02F1/1368;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/786;H01L51/50 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 保护电路包括非线性元件,该非线性元件包括:栅电极;覆盖栅电极的栅极绝缘层;在栅极绝缘层上与栅电极重叠的第一氧化物半导体层;以及其端部在第一氧化物半导体层上与栅电极重叠,并其中层叠有导电层和第二氧化物半导体层的第一布线层及第二布线层。在栅极绝缘层上接合物理性质彼此不同的氧化物半导体层,由此与肖特基结相比可进行稳定工作。因此,结漏降低,且可提高非线性元件的特性。 | ||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
【主权项】:
一种显示装置,包括:在衬底上彼此交叉的多条扫描线和多条信号线;所述衬底上的像素部,所述像素部包括排列为矩阵的多个像素电极;所述衬底周边的信号输入端子;以及设置在所述像素部和所述信号输入端子之间的非线性元件,其中,所述像素部包括薄膜晶体管,其中,所述薄膜晶体管包括:包括沟道形成区域的第一氧化物半导体层;连接到所述多条扫描线之一的栅电极;连接所述多条信号线之一和所述第一氧化物半导体层的第一布线层;以及连接所述多个像素电极之一和所述第一氧化物半导体层的第二布线层,其中,所述非线性元件包括:连接到所述多条扫描线之一或所述多条信号线之一的栅电极;覆盖所述栅电极的栅极绝缘层;所述栅极绝缘层上的第二氧化物半导体层,所述第二氧化物半导体层与所述栅电极重叠;所述第二氧化物半导体层上的第三布线层,其中所述第三布线层的端部与所述栅电极重叠,且其中所述第三布线层包括第一导电层和第三氧化物半导体层的叠层;所述第二氧化物半导体层上的第四布线层,其中所述第四布线层的端部与所述栅电极重叠,且其中所述第四布线层包括第二导电层和第四氧化物半导体层的叠层;以及连接所述栅电极与所述第三布线层和所述第四布线层之一的第五布线层。
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