[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

在衬底上彼此交叉的多条扫描线和多条信号线；

所述衬底上的像素部，所述像素部包括排列为矩阵的多个像素电极；

所述衬底周边的信号输入端子；以及

设置在所述像素部和所述信号输入端子之间的非线性元件，

其中，所述像素部包括薄膜晶体管，

其中，所述薄膜晶体管包括：

包括沟道形成区域的第一氧化物半导体层；

连接到所述多条扫描线之一的栅电极；

连接所述多条信号线之一和所述第一氧化物半导体层的第一布线层；以及

连接所述多个像素电极之一和所述第一氧化物半导体层的第二布线层，

其中，所述非线性元件包括：

连接到所述多条扫描线之一或所述多条信号线之一的栅电极；

覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层与所述栅电极重叠；

所述第二氧化物半导体层上的第三布线层，其中所述第三布线层的端部与所述栅电极重叠，且其中所述第三布线层包括第一导电层和第三氧化物半导体层的叠层；

所述第二氧化物半导体层上的第四布线层，其中所述第四布线层的端部与所述栅电极重叠，且其中所述第四布线层包括第二导电层和第四氧化物半导体层的叠层；以及

连接所述栅电极与所述第三布线层和所述第四布线层之一的第五布线层。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二氧化物半导体层的氧浓度高于所述第三氧化物半导体层和所述第四氧化物半导体层的氧浓度。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二氧化物半导体层的导电率低于所述第三氧化物半导体层和所述第四氧化物半导体层的导电率。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二氧化物半导体层是氧过量型，而所述第三氧化物半导体层和所述第四氧化物半导体层是氧缺乏型。

5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层、所述第三氧化物半导体层及所述第四氧化物半导体层包含铟、镓及锌。

6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第五布线层由与所述像素电极相同的材料形成。

7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述沟道形成区域的厚度小于所述第一氧化物半导体层中的其他区域。

8.一种显示装置，包括：

在衬底上彼此交叉的多条扫描线和多条信号线；

所述衬底上的像素部，所述像素部包括排列为矩阵的多个像素电极；

连接所述多条扫描线之一和第一公共布线的第一保护电路；以及

连接所述多条信号线之一和第二公共布线的第二保护电路，

其中，所述像素部包括薄膜晶体管，

其中，所述薄膜晶体管包括：

包括沟道形成区域的第一氧化物半导体层；

连接到所述多条扫描线之一的栅电极；

连接所述多条信号线之一和所述第一氧化物半导体层的第一布线层；以及

连接所述多个像素电极之一和所述第一氧化物半导体层的第二布线层，

其中，所述第一保护电路和所述第二保护电路分别包括非线性元件，以及

其中，所述非线性元件分别包括：

连接到所述多条扫描线之一或所述多条信号线之一的栅电极；

覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层与所述栅电极重叠；

所述第二氧化物半导体层上的第三布线层，其中所述第三布线层的端部与所述栅电极重叠，且其中所述第三布线层包括第一导电层和第三氧化物半导体层的叠层；

所述第二氧化物半导体层上的第四布线层，其中所述第四布线层的端部与所述栅电极重叠，且其中所述第四布线层包括第二导电层和第四氧化物半导体层的叠层；以及

连接所述栅电极与所述第三布线层和所述第四布线层之一的第五布线层。

9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述第二氧化物半导体层的氧浓度高于所述第三氧化物半导体层和所述第四氧化物半导体层的氧浓度。