[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供了减少了起因于静电放电的特性不良的半导体装置及其制造方法。该半导体装置至少具有如下三个结构中的一个：(1)在电路部的周围区域中，第一和第二绝缘膜彼此直接接触的结构；(2)第一和第二绝缘体彼此密接的结构；(3)在第一绝缘体和第二绝缘体的外表面上分别设置第一导电层及第二导电层，第一导电层和第二导电层之间的电导通在周围区域的侧面实现的结构。注意，通过将多个半导体装置分割成分离的半导体装置可以实现侧面的导通。

主权项

一种半导体装置，包括：包括薄膜晶体管的电路部；所述电路部上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；所述电路部上的天线，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜夹在所述电路部和所述天线之间，所述天线电连接于所述薄膜晶体管；所述天线上的第三绝缘膜；以及所述电路部周围的周围区域，其中，所述周围区域包括在所述第二绝缘膜的外侧所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜彼此直接接触的区域。