[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

包括薄膜晶体管的电路部；

所述电路部上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；

所述电路部上的天线，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜夹在所述电路部和所述天线之间，所述天线电连接于所述薄膜晶体管；

所述天线上的第三绝缘膜；以及

所述电路部周围的周围区域，

其中，所述周围区域包括在所述第二绝缘膜的外侧所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜彼此直接接触的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘膜及所述第三绝缘膜均为氮化硅膜。

3.一种半导体装置，包括：

第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的包括薄膜晶体管的电路部；

所述电路部上的电连接于所述薄膜晶体管的天线；

所述天线上的第二绝缘体；以及

所述电路部周围的周围区域，

其中，所述周围区域包括所述第一绝缘体与所述第二绝缘体密接而彼此贴合的区域。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一绝缘体及所述第二绝缘体均为在纤维体中浸渗有有机树脂的结构体。

5.一种半导体装置，包括：

第一导电层；

所述第一导电层上的第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的包括薄膜晶体管的电路部；

所述电路部上的电连接于所述薄膜晶体管的天线；

所述天线上的第二绝缘体；

所述第二绝缘体上的与所述第一导电层导通的第二导电层；以及

所述电路部周围的周围区域，

其中，所述周围区域包括所述第一绝缘体与所述第二绝缘体密接而彼此贴合的区域。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一绝缘体及所述第二绝缘体均为在纤维体中浸渗有有机树脂的结构体。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一导电层及所述第二导电层由钛形成。

8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一导电层及所述第二导电层由氧化硅与铟锡氧化物的复合物形成。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述第一导电层与所述第二导电层之间的电阻值为10MΩ以上且200MΩ以下。

10.一种半导体装置，包括：

第一导电层；

所述第一导电层上的第一绝缘体；

所述第一绝缘体上的包括薄膜晶体管的电路部；

所述电路部上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜；

所述电路部上的天线，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜夹在所述电路部和所述天线之间，所述天线电连接于所述薄膜晶体管；

所述天线上的第三绝缘膜；

所述第三绝缘膜上的第二绝缘体；

所述第二绝缘体上的与所述第一导电层导通的第二导电层；以及

所述电路部周围的周围区域，

其中，所述周围区域包括在所述第二绝缘膜的外侧所述第一绝缘膜与所述第三绝缘膜直接彼此接触的区域以及所述第一绝缘体与所述第二绝缘体密接而彼此贴合的区域。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一绝缘膜及所述第三绝缘膜均为氮化硅膜。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一绝缘体及所述第二绝缘体均为在纤维体中浸渗有有机树脂的结构体。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一导电层及所述第二导电层由钛形成。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一导电层及所述第二导电层由氧化硅与铟锡氧化物的复合物形成。

15.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一导电层与所述第二导电层之间的电阻值为10MΩ以上且200MΩ以下。