[发明专利]成膜装置有效
| 申请号: | 200980135521.5 | 申请日: | 2009-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN102150245A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
| 发明(设计)人: | 加藤寿;竹内靖 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/455;H01L21/316 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种成膜装置。成膜装置具备气体喷嘴和整流构件,上述气体喷嘴沿长度方向形成有用于喷出反应气体的喷出孔,上述整流构件自上述气体喷嘴向旋转台的旋转方向上游侧或旋转方向下游侧突出。在上述结构中,针对自上述旋转方向上游侧流向该气体喷嘴的分离气体,限制该分离气体流入到上述气体喷嘴与载置有基板的旋转台之间,或者限制反应气体在分离气体的作用下自旋转台飞扬,从而防止处理区域中的反应气体的浓度下降。 | ||
| 搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其在真空容器内按顺序向基板的表面供给相互反应的至少两种反应气体,并且执行该供给循环,从而层叠多层反应生成物的层而形成薄膜,该成膜装置包括:旋转台,其设置在上述真空容器内;基板载置区域,其设置在该旋转台上,用于载置基板;第1反应气体供给部件和第2反应气体供给部件,其沿上述旋转台的旋转方向彼此分开地固定在该旋转台的上方,用于分别向基板供给第1反应气体和第2反应气体;分离区域,其在上述旋转方向上位于被供给上述第1反应气体的第1处理区域和被供给第2反应气体的第2处理区域之间,用于将第1处理区域与第2处理区域的气氛分离开,且该分离区域设有用于供给分离气体的分离气体供给部件;排气口,其用于对上述真空容器的内部进行真空排气,上述第1反应气体供给部件和第2反应气体供给部件中的至少一方形成为气体喷嘴,该气体喷嘴沿与上述基板载置区域的移动方向交叉的方向延伸、且沿该气体喷嘴的长度方向形成有用于向上述旋转台喷出反应气体的喷出孔;在上述气体喷嘴的上方侧形成有供分离气体流通的流通空间;该成膜装置具有自上述气体喷嘴向上游侧和下游侧中的至少一侧伸出的整流构件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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