[发明专利]衬底、提供有外延层的衬底、制造衬底的方法和制造提供有外延层的衬底的方法无效
| 申请号： | 200980135114.4 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN102149857A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 松本直树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/20;C30B33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种以低成本形成并且具有受控的板形的衬底、通过在衬底上形成外延层而获得的提供有外延层的衬底及其制造方法。根据本发明的制造衬底的方法包括如下步骤：晶锭生长步骤(S110)，其用作制备由氮化镓(GaN)形成的晶锭的步骤；以及切片步骤(S120)，其用作通过对所述晶锭进行切片而获得由氮化镓形成的衬底的步骤。在切片步骤(S120)中，通过所述切片而获得的所述衬底具有在10mm的线上不小于0.05μm且不大于1μm的算术平均粗糙度Ra的主表面。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 提供 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造衬底(10、30)的方法，所述方法包括如下步骤：制备由氮化镓形成的晶锭(3)；以及通过对所述晶锭(3)进行切片获得由氮化镓形成的衬底(10、30)，在获得所述衬底(10、30)的步骤中，通过切片获得的所述衬底(10、30)具有在10mm的线上不小于0.05μm且不大于1μm的算术平均粗糙度Ra的主表面。
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