[发明专利]CMOS电平移位器电路设计无效
| 申请号： | 200980134409.X | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN102144358A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 里图·查巴;朴东奎;郑昌镐;杨赛森 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/356 | 分类号： | H03K3/356;H03K3/012 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种电平移位电路(402)，其具有一对辅助电路(404、406)。所述电平移位电路(402)包括输入点(420)、两个输出点(416/418)、耦合到所述输出点(416、418)的一对交叉耦合的PMOS晶体管(412、414)，及耦合于所述输入点与输出点(420)之间的一对NMOS晶体管(424、426、432、434)。每一辅助电路(404、406)包括一对PMOS晶体管(424、426、432、434)，一个PMOS晶体管(424、432)对施加到所述输入点(420)的输入作出响应，另一PMOS晶体管(426、434)对所述NMOS晶体管(408、410)中的一者的漏极电压作出响应。当输入由低变为高或由高变为低时，所述辅助电路(404、406)暂时减弱所述交叉耦合的PMOS晶体管(412、414)。所述辅助电路还暂时使输出升压。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 电平 移位 电路设计 | ||
【主权项】：
一种电平移位电路，其包含：输入点；输出点；耦合到所述输出点的一对交叉耦合的第一类型的场效应晶体管；一对辅助电路，其对输入电压电平及输出电压电平的改变作出响应，以用于暂时改变所述第一类型的所述场效应晶体管的栅极到源极及源极到漏极电压；以及耦合于所述输入点与输出点之间的一对第二类型的场效应晶体管，所述第二类型的所述场效应晶体管对输入电压电平作出响应。
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