[发明专利]CMOS电平移位器电路设计

权利要求书

1.一种电平移位电路，其包含：

输入点；

输出点；

耦合到所述输出点的一对交叉耦合的第一类型的场效应晶体管；

一对辅助电路，其对输入电压电平及输出电压电平的改变作出响应，以用于暂时改变所述第一类型的所述场效应晶体管的栅极到源极及源极到漏极电压；以及

耦合于所述输入点与输出点之间的一对第二类型的场效应晶体管，所述第二类型的所述场效应晶体管对输入电压电平作出响应。

2.根据权利要求1所述的电平移位电路，其中所述辅助电路减弱所述对交叉耦合的所述第一类型的场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的电平移位电路，其中相对于具有类似组件但没有辅助电路的电平移位电路的插入延迟，所述辅助电路改进所述电平移位电路的插入延迟。

4.根据权利要求1所述的电平移位电路，其中所述辅助电路是操作的，直到所述第二类型的所述场效应晶体管已将其漏极电压拉到最终值为止。

5.根据权利要求1所述的电平移位电路，其中每一辅助电路包含漏极到源极地串联耦合在一起的所述第一类型的两个场效应晶体管，所述辅助电路场效应晶体管中的一者对输入电压电平作出响应，且所述辅助电路场效应晶体管中的另一者对所述第二类型的所述场效应晶体管中的一者的漏极电压电平作出响应。

6.一种电平移位电路，其包含：

输入点；

输出点；

耦合到所述输出点的一对交叉耦合的PMOS装置；

一对辅助电路，其对输入电压电平及输出电压电平的改变作出响应，以用于暂时改变所述PMOS装置的栅极到源极电压；以及

耦合于所述输入点与输出点之间的一对NMOS装置，所述NMOS装置对输入电压电平作出响应。

7.根据权利要求6所述的电平移位电路，其中所述辅助电路减弱所述对交叉耦合的PMOS装置。

8.根据权利要求6所述的电平移位电路，其中相对于具有类似组件但没有辅助电路的电平移位电路的插入延迟，所述辅助电路改进所述电平移位电路的插入延迟。

9.根据权利要求6所述的电平移位电路，其中所述辅助电路是操作的，直到所述NMOS装置已将其漏极电压拉到最终值为止。

10.根据权利要求6所述的电平移位电路，其中每一辅助电路包含漏极到源极地串联耦合在一起的两个PMOS装置，所述辅助电路PMOS装置中的一者对输入电压电平作出响应，且所述辅助电路PMOS装置中的另一者对所述NMOS装置中的一者的漏极电压电平作出响应。